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资料编号:1098553
 
资料名称:MMBT3904-7
 
文件大小: 68.46K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
 
 


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ds30036 rev. 10 - 2 3 的 3 MMBT3904
0
50
100
25 50
75
100 125
150
175
200
P , 电源 消耗 (mw)
D
T , 包围的 温度 (°c)
图. 1, 最大值 电源 消耗 vs
包围的 Tem
perature
一个
150
200
250
300
350
0
0
5
15
10
0.1
1
10
100
C , 输入 电容 (pf)
IBO
C , 输出 电容 (pf)
OBO
V , 集电级-根基 电压 (v)
图. 2, 输入 输出 电容 vs.
集电级-根基 Volta
ge
CB
Cibo
Cobo
f = 1MHz
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h , 直流 电流 增益
FE
I , 集电级 电流 (毫安)
图. 3, 典型 直流 电流 增益 vs
集电级 电流
C
T = -25°c
一个
T = +25°C
一个
T = 125°C
一个
V = 1.0v
CE
0.01
0.1
1
0.1 1 10
100
1000
V , 集电级-发射级 (v)
饱和 电压
ce(sat)
I , 集电级 电流 (毫安)
图. 4, 典型 集电级-发射级
饱和 Volta
ge vs. 集电级 电流
C
I
C
I
B
=10
0.1
1
10
0.1 1 10
100
1000
V , 根基-发射级 (v)
饱和 电压
是(sat)
I , 集电级 电流 (毫安)
图. 5, 典型 根基-发射级
饱和 Volta
ge vs. 集电级 电流
C
I
C
I
B
=10
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