2002 微芯 技术 公司 ds21425b-页 9
tc4467/tc4468/tc4469
4.0 详细地 描述
4.1 供应 bypassing
大 电流 是 必需的 至 承担 和 释放
大 电容的 负载 quickly. 为 例子, charging 一个
1000 pf 加载 至 18 v 在 25 nsec 需要 0.72 一个 从
这 设备's 电源 供应.
至 确保 低 供应 阻抗 在 一个 宽 频率
范围, 一个 1 µf 影片 电容 在 并行的 和 一个 或者 二
低-电感, 0.1 µf 陶瓷的 disk 电容 和
短的 含铅的 长度 (<0.5 在.) 正常情况下 提供 足够的
bypassing.
4.2 Grounding
这 tc4467 和 tc4469 包含 反相的 驱动器.
潜在的 drops 开发 在 一般 地面
阻抗 从 输入 至 输出 将 呈现 作
负的 反馈 和 降级 切换 速
特性. instead, 单独的 地面 returns 为
输入 和 输出 电路, 或者 一个 地面 平面, 应当 是
使用.
4.3 输入 平台
这 输入 电压 水平的 改变 这 非-加载 或者
安静的 供应 电流. 这 n-频道 场效应晶体管
输入 平台 晶体管 驱动 一个 2.5 毫安 电流 源
加载. 和 逻辑 “
0
” 输出, 最大 安静的 供应
电流 是 4 毫安. 逻辑 “
1
” 输出 水平的 信号 减少
安静的 电流 至 1.4 毫安, 最大. unused 驱动器
输入 必须 是 连接 至 v
DD
或者 v
SS
. 最小
电源 消耗 occurs 为 逻辑 “
1
” 输出.
这 驱动器 是 设计 和 50 mv 的 hysteresis,
这个 提供 clean transitions 和 降低 输出
平台 电流 spiking 当 changing states. 输入 volt-
age 门槛 是 大概 1.5 v, 制造 任何
电压 更好 比 1.5 v, 向上 至 v
DD
,
一个 逻辑 “
1
” 输入.
输入 电流 是 较少 比 1 µa 在 这个 范围.
4.4 电源 消耗
这 供应 电流 相比 频率 和 供应
电流 相比 电容的 加载 典型的 曲线 将
aid 在 determining 电源 消耗 calculations.
微芯 技术's cmos 驱动器 有 非常
减少 安静的 直流 电源 消耗量.
输入 信号 职责 循环, 电源 供应 电压 和 加载
类型 影响 包装 电源 消耗. 给 电源
消耗 和 包装 热的 阻抗, 这 maxi-
mum 包围的 运行 温度 是 容易地
计算. 这 14-管脚 塑料 包装 接合面-至-
包围的 热的 阻抗 是 83.3°c/w. 在 +70°c, 这
包装 是 评估 在 800 mw 最大 消耗.
最大 容许的 碎片 温度 是 +150°c.
三 组件 制造 向上 总的 包装 电源
消耗:
1. 加载-造成 消耗 (p
L
).
2. 安静的 电源 (p
Q
).
3. 转变 电源 (p
T
).
一个 电容的-加载-造成 消耗 (驱动 场效应晶体管
门), 是 一个 直接 函数 的 频率, 电容的 加载
和 供应 电压. 这 电源 消耗 是:
等式
一个 resistive-加载-造成 消耗 为 地面-
关联 负载 是 一个 函数 的 职责 循环, 加载
电流 和 加载 电压. 这 电源 消耗 是:
等式
P
L
fCV
S
2
=
V
S
供应 电压
=
C 电容的 加载
=
f 切换 频率
=
P
L
DV
S
V
L
–
()
I
L
=
I
L
加载 电流
=
dduty 循环
=
V
S
供应 电压
=
V
L
加载 电压
=
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