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资料编号:1101063
 
资料名称:2SK3680-01
 
文件大小: 110K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
特性
2sk3680-01
fuji 电源 场效应晶体管
0 25 50 75 100 125 150
0
100
200
300
400
500
600
700
800
容许的 电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [
°
C]
0 4 8 12 16 20 24
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
7.5v
20V
10V
8V
6.5v
vgs=6.0v
id [a]
vds [v]
典型 输出 特性
id=f(vds):80
µ
s 脉冲波 测试,tch=25
°
C
012345678910
0.1
1
10
100
ID[A]
VGS[V]
典型 转移 典型的
id=f(vgs):80
µ
s 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25
°
C
0.1 1 10 100
0.1
1
10
100
gfs [s]
id [a]
典型 跨导
gfs=f(id):80
µ
s 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25
°
C
0 20 40 60 80 100 120 140
0.0
0.1
0.2
0.3
rds(在) [
]
id [a]
典型 流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(id):80
µ
s 脉冲波 测试,tch=25
°
C
10V
20V
8V
7.5v
6.5v
VGS=6V
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.0
0.1
0.2
0.3
rds(在) [
]
tch [
°
C]
典型值
最大值
流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(tch):id=26a,vgs=10v
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