7MBP50RTB060_集成电路资料查询网

7MBP50TEA120 igbt-ipm
特性
动态 brake 特性 (代表)
0
10
20
30
40
00.511.522.533.54
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
Tj=25°C
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 电流 : ic  (一个)
集电级-发射级 电压 : vce  (v)
0
10
20
30
40
00.511.522.533.54
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
Tj=125°C
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
Collect或者C urrent : ic(一个)
集电级-emitter 电压 : vce  (v)
0
50
100
150
200
0 20406080100120140160
电源 减额 为 igbt (最大值.)
(每 device)
Collecter power dissipation : pc (w )
情况 温度 : tc (°c)
0.01
0.1
1
0.001 0.01 0.1 1
瞬时 热的 阻抗 (max.)
热的 阻抗 : rth(j-c)  (°c/w)
脉冲波 宽度 :pw (秒)
IGBT
0
30
60
90
120
150
180
210
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
使反转 片面的 safe 运行 范围
Vc c=15v,tj<= 125 °C (最小值 .)
集电级 电流 : ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
SCSOA
(非-repetitive 脉冲波)
RBSOA
(r epetitive puls e)

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7MBP50TEA120 igbt-ipm 特性动态 brake 特性 (代表) 0 10 20 30 40 00.511.522.533.54 集电级电流 vs. 集电级-发射级电压 (典型值.) Tj=25°C Vcc=13V Vcc=15V Vcc=17V 集电级电流 : ic (一个) 集电级-发射级电压 : vce (v) 0 10 20 30 40 00.511.522.533.54 集电级电流 vs. 集电级-发射级电压 (典型值.) Tj=125°C Vcc=13V Vcc=15V Vcc=17V Collect或者C urrent : ic(一个) 集电级-emitter 电压 : vce (v) 0 50 100 150 200 0 20406080100120140160 电源减额为 igbt (最大值.) (每 device) Collecter power dissipation : pc (w ) 情况温度 : tc (°c) 0.01 0.1 1 0.001 0.01 0.1 1 瞬时热的阻抗 (max.) 热的阻抗 : rth(j-c) (°c/w) 脉冲波宽度 :pw (秒) IGBT 0 30 60 90 120 150 180 210 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 使反转片面的 safe 运行范围 Vc c=15v,tj<= 125 °C (最小值 .) 集电级电流 : ic (一个) 集电级-发射级电压 : vce (v) SCSOA (非-repetitive 脉冲波) RBSOA (r epetitive puls e)

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