2004 微芯 技术 公司 ds21851b-页 5
PS5163
3.2 图式
图示 3-1: ps5163 板 图式
1 2 3 4 56
一个
B
C
D
6
54321
D
C
B
一个
1
微芯 技术, 公司
powersmart 产品 组
2745 达拉斯市 parkway, suite 400
plano, tx 75093 469-241-0087 voice/469-241-0106 传真
1
ps5163 图式
03-826171 3.1
15-三月-2004
15:24:41
03-826171 rev 3-1.sch
薄板 的
*** confidential ***
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那 是 这 智力的
所有物 的 微芯
技术, 公司
大小 绘画 非.代号 ident 非. REV
B
文件规模
毫无
标题
APPROVALS 日期
contract 非.
http://www.微芯.com
描绘
审查
C2
100 nf
C3
100 nf
Q3
NDS355N
R111.0k
R121.0k
R131.0k
R1551
C9
10 nf
C8
100 nf
R31
5.1k
CELL
连接
电流
SENSE
电阻
外部 thermistor 连接
(semitec 103at 或者 103etb -- 10k 在 25°c)
V1
V2
V3
VR
R26
221K
TR
TN
C1
330 nf
C16
100 nf
31
4
F1
SFD167A
VR
V3
V2
V1
TN
TR
C7
330 nf
C5
330 nf
R36
0.020
R2240
R3240
LED0
LED1
LED2
LED3
R5
3.65k
R16
0
SW1
r. casebolt 11/21/2003
除去 r16 如果 一个
外部 thermistor
是 使用
5
4
1
2
3
6
7
8
Q1
IRF7424
5
4
1
2
3
6
7
8
Q2
IRF7424
地面 平面
连接
为 修订 history, 谈及 至 826171 改变 log.
io7-pgd
io6-pgc
MCLR
R19
220
icd 端口
C17
100 nf
R35365
包装
连接
D
C
T
B+
BN
3
1
2
D1 AZ23C5V6
B+
b-
C
D
T
C18
1.0 nf
R720
R820
R9240
R10240
R120
V5
V5
R620K R17
20K
io6-pgc
io7-pgd
MCLR
SSAFE
IO5
COP
1
NC
9
DOP
3
CDT
5
SEL
10
CCT
6
V
SS
7
VINI
4
CTL
11
VC4
12
VC3
13
VC2
14
VC1
15
V
DD
16
VMP
2
NC
8
U2
S8254A
R23
5.1k
R21
1.0m
primary 安全 电路
和 电容 值 显示:
超（电）压 时间 延迟: 100 msec
欠压 时间 延迟: 100msec
overcurrent 时间 延迟: 10 msec
V
DDD
1
gpio(4)
2
gpio(5)
3
gpio(6)
4
gpio(7)
5
smb-clk
6
smb-dta
7
vc(4)
8
vc(3)
9
vc(2)
10
vc(1)
11
V
DDA
12
V
SSA
13
RSHP
14
RSHN
15
V
NTC
16
V
REFT
17
ROSC
18
gpio(8)
19
gpio(9)
20
GPIOHV1
21
MCLR
22
GPIOHV2
23
gpio(0)
24
gpio(1)
25
gpio(2)
26
gpio(3)
27
V
SSD
28
U1
PS501
ps501-为基础 涉及 设计 为 3-cell li-ion 产品.
BNAUX
IO4
HV1
HV2
HV1
HV2
IO4
LED0
LED1
LED2
LED3
C12
100 nf
C11
100 nf
C13
100 nf
C15
2.2
µ
F
IO5
V
DDD
提醒:
当 使用 icd 端口,
一个 10k 电阻 必须
是 连接 在
V
DDD
和 bnaux.
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