半导体
dim600dds17-a000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
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热的 和 机械的 比率
内部的 绝缘 材料: Al
2
O
3
baseplate 材料: 铜
creepage 距离: 20mm
clearance: 10mm
cti (核心的 追踪 index): 175
标识
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th(j-c)
热的 阻抗 - 晶体管
持续的 消耗 –
接合面 至 情况
- - 24 ° c/kw
R
th(j-c)
热的 阻抗 - 二极管
持续的 消耗 –
接合面 至 情况
- - 40 ° c/kw
R
th(c-h)
热的 阻抗 – 情况 至 散热器
(每 单元)
挂载 torque 5nm
(和 挂载 grease)
- - 8 ° c/kw
T
j
接合面 温度 晶体管 - - 150 ° c
二极管 - - 125 ° c
T
stg
存储 温度 范围 - -40 - 125 ° c
-
screw torque
挂载 – m6 - - 5 Nm
电的 连接 – m4 - - 2 Nm
电的 连接 – m8 - - 10 Nm
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