ADP3310
–6–
rev. 一个
应用 信息
这 adp3310 是 非常 容易 至 使用. 一个 p-频道 电源 场效应晶体管
和 一个 小 电容 在 这 输出 是 所有 那 是 需要 至 表格
一个 inexpensive ultralow 落后 调整器. 这 有利因素 的
使用 这 adp3310 控制 是 那 它 能 驱动 一个 通过 pmos
场效应晶体管 至 提供 一个 管制 输出 在 高 电流.
场效应晶体管 选择
这 类型 和 大小 的 这 通过 晶体管 是 决定 用 这
门槛 电压, 输入-输出 电压 差别的 和 加载
电流. 这 选择 pmos 必须 satisfy 这 物理的 和
热的 设计 (所需的)东西. 表格 i 显示 一个 partial 列表 的
manufacturers 供应 这 pmos 设备. 至 确保 那 这
最大 v
GS
提供 用 这 控制 将 转变 在 这 场效应晶体管
在 worst 情况 情况 (i.e., 温度 和 制造
容忍), 这 最大 有 v
GS
必须 是 决定.
最大 v
GS
是 计算 作 跟随:
(1) V
GS
= v
在
– v
是
– i
OMAX
×
R
S
I
OMAX
= 最大 输出 电流
R
S
= 电流 sense 电阻
V
是
~ 0.7 v (房间 温度)
~ 0.5 v (hot)
~ 0.9 v (cold)
为 例子: v
在
= 5 v, v
O
= 3.3 v 和 i
OMAX
= 3 一个,
V
GS
= 5 v – 0.7 v – 3 一个
×
11 m
Ω
= 4.27 v
等式 (1) 应用 至 一个 门-至-源 电压 较少 比 这
门 至 源 clamp 电压.
(2) V
DS
= v
在
– v
O
V
DS
= 5 v – 3.3 v = 1.7 v
如果 v
在
≤
5 v, 逻辑 水平的 场效应晶体管 应当 是 考虑.
如果 v
在
> 5 v, 也 逻辑 水平的 或者 标准 场效应晶体管 能 是 使用.
这 区别 在 v
是
和 v
输出
(v
DS
) 必须 超过 这
电压 漏出 预定的 至 这 加载 电流 和 这 在 阻抗 的
这 场效应晶体管. 作 一个 安全 余裕, 它 是 推荐 至 使用 一个 mos-
场效应晶体管 和 一个 v
GS
在 least 1.5 时间 更小的 比 这 计算 v
GS
值 从 等式 1. 也, 在 这 事件 这 电路 是 短接
至 地面, 这 场效应晶体管 必须 是 能 至 conduct 这 最大
短的 电路 电流. 这 选择 场效应晶体管 必须 satisfy 这些
criteria; 否则, 一个 不同的 通过 设备 应当 是 使用. 如果 这
场效应晶体管 数据 是 不 有 在 这 catalogue, 联系 这 场效应晶体管
生产者.
热的 设计
这 最大 容许的 热的 阻抗 在 这 场效应晶体管
接合面 和 这 最高的 包围的 温度 必须 是 带去
在 账户 至 决定 这 类型 的 场效应晶体管 包装 使用. 一个
正方形的 inch 的 pcb 铜 范围 作 散热器 产量 一个 典型
θ
JA
~ 60
°
c/w 为 这 sot-223 包装 和
θ
JA
~ 50
°
c/w 为
这 所以-8 包装. 为 substantially 更小的 热的 抵制,
D
2
pak 或者 至-220 类型 的 包装 是 推荐.
为 正常的 产品, 这 场效应晶体管 能 是 直接地 挂载 至 这
pcb. 但是, 为 高等级的 电源 产品, 一个 外部 热温 下沉 是
必需的 至 satisfy 这
θ
JA
必要条件 和 提供 足够的 散热器.
calculating 热的 阻抗 为 v
在
= 5 v, v
O
= 3.3 v, 和
I
O
= 3 一个:
θ
J
一个
=
T
J
–
T
AMBMAX
(
V
DSMAX
×
I
OMAX
)
T
J
= 接合面 温度
T
AMBMAX
= 最大 包围的 温度
V
DSMAX
= 最大 流 至 源 电压
I
OMAX
= 最大 输出 电流
θ
JA
=
125
−
50
1. 7
×
3
=
14.7
°
C
/
W
为 此类 一个 低
θ
JA
, 一个 p-频道 场效应晶体管 从 仙童, 此类 作
ndp6020p 在 一个 散热器 mountable 至-220 包装, 是
必需的. 这 必需的 外部 散热器 是 决定 作
跟随:
θ
CA
=
θ
JA
–
θ
JC
θ
CA
= 情况-至-包围的 热的 阻抗
θ
JA
= 接合面-至-包围的 热的 阻抗
θ
JC
= 接合面-至-情况 热的 阻抗
θ
JC
= 2
°
c/w 为 ndp6020p
θ
CA
= 14.7
°
c/w – 2
°
c/w = 12.7
°
c/w
为 一个 安全 余裕, 选择 一个 散热器 和 一个
θ
CA
较少 比 half 的
这 值 计算 在之上 至 准许 扩展 持续时间 的 短的
电路. 在 一个 自然的 convection environment, 一个 大 散热器
such 作 3" 长度 的 类型 63020 extrusion 从 aavid engineering
是 必需的.
外部 电容
这 adp3310 是 稳固的 和 virtually 任何 好的 质量 capaci-
tors (anycap™), 独立 的 这 电容’s 最小 等效串联电阻
(有效的 序列 阻抗) 值. 这 真实的 值 的 这 ca-
pacitor 和 它的 有关联的 等效串联电阻 取决于 在 这 g
m
和 ca-
pacitance 的 这 外部 pmos 设备. 一个 10
µ
f 电容 在 这
输出 是 sufficient 至 确保 稳固 为 向上 至 10 一个 输出
电流. 大 电容 能 是 使用 如果 高 输出 电流
surges 是 预期. 极其 低 等效串联电阻 电容 (等效串联电阻
≈
0)
此类 作 multilayer 陶瓷的 或者 oscon 是 preferred 因为
它们 提供 更小的 波纹 在 这 输出. 为 较少 要求
(所需的)东西, 一个 标准 tantalum 或者 甚至 一个 铝
electrolytic 是 足够的. 不管怎样, 如果 一个 铝 electrolytic 是
使用, 是 确信 它 满足 这 温度 (所需的)东西 因为
铝 electrolytic 有 poor 效能 在 温度.
关闭 模式
应用 一个 ttl 高 信号 至 这 en 管脚 或者 tying 它 至 这
输入 管脚 将 使能 这 输出. 拉 这个 管脚 低 或者 tying 它
至 地面 将 使不能运转 这 输出. 在 关闭 模式, 这
控制’s 安静的 电流 是 减少 至 较少 比 1
µ
一个.
门-至-源 clamp
一个 8 v 门-至-源 电压 clamp 是 提供 至 保护 这
场效应晶体管 在 这 事件 这 输出 是 suddenly 短接 至
地面. 这个 准许 这 使用 的 这 新, 低 在-状态 阻抗
(r
DSON
) fets.
短的 电路 保护
这 电源 场效应晶体管 是 保护 在 短的 电路 情况
和 一个 foldback 类型 的 电流 限制的 这个 significantly re-
duces 这 电流.
电流 sense 电阻
电流 限制 是 达到 用 设置 一个 适合的 电流 sense
电阻 (r
S
) 横过 这 电流 限制 门槛 电压. 电流
限制 sense 电阻 r
S
是 计算 作 跟随:
R
S
=
0.05
(1.5
×
I
O
)
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