修订 history
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十一月 2002 − 修订 january 2005 SPRS205D
修订 history
这个 数据 薄板 修订 history 最好的部分 这 技术的 改变 制造 至 这 sprs205c 设备-明确的 数据
薄板 至 制造 它 一个 sprs205d 修订.
scope:
增加 部分 4.1, 注意 涉及 jtag (ieee 1149.1) boundary scan 测试 能力; 增加
179-终端 zhh 含铅的-自由 包装; 移除 secure 只读存储器 (srom); 增加 包装 addendum, 等
页(s)
非.
additions/改变/deletions
global:
− 增加 179-终端 zhh 含铅的-自由 包装
− deleted 部分 3.1.4, secure 只读存储器
− deleted 表格 3−40, secure 只读存储器 寄存器
− moved “package 热的 阻抗 characteristics” 部分 至 部分 6, 机械的 数据
− 增加 包装 补遗
13 部分 1, tms320vc5509a 特性:
− 增加 “179-终端 含铅的-自由 microstar bga
(球 grid 排列) (zhh 后缀)” 特性
19 表格 2−3, 信号 描述:
− hpi.hrdy: changed 值 的 “i/o/z” column 从 “o/z” 至 “o”
33 部分 3.1.3, 在-碎片 读-仅有的 记忆 (只读存储器):
− deleted “the 16k 只读存储器 blocks 在 ffc000 至 ffffff 能 是 配置 作 secure 只读存储器. (看 部分 3.1.4.)” 从
“the 一个-wait-状态 只读存储器 是 located 在 这 字节 地址 范围 ff0000h−ffffffh ...” paragraph
34 图示 3−2, tms320vc5509a 记忆 编排 (pge 包装):
− 移除 srom 块
35 部分 3.1.4.2, ghh 和 zhh 包装 记忆 编排:
− updated 部分 至 包含 179-终端 zhh 包装
35 图示 3−3, tms320vc5509a 记忆 编排 (ghh 和 zhh 包装):
− 移除 srom 块
40 部分 3.5.1, 外部 总线 选择 寄存器 (ebsr):
− appended “after 重置, 这 并行的 端口 应当 是 选择 至 函数 在 也 emif 模式 或者 hpi 模式. 动态
切换 的 这 并行的 端口, once 配置, 是 不 推荐.” 至 “the 重置 值 的 这 并行的 端口 模式 位 地方
是 决定 用 ...” paragraph
47 部分 3.6.2, 地址 总线 一般-目的 i/o:
− appended “note 那 这 agpioen 位 应当 是 设置 较早的 至 设置 这 agpiodir 位.” 至 “the 16 地址 信号,
emif.a[15−0], 能 也 是 individually 使能 作 gpio ...” paragraph
67 表格 3−33, i
2
c 单元 寄存器:
− 0x3c0b: changed “i
2
c 一般-目的 register” (i2cgpio) 至 “reserved”
77 部分 4:
− renamed 部分 从 “documentation support” 至 “support”
77 部分 4, 支持:
− 增加 部分 4.1, 注意 涉及 jtag (ieee 1149.1) boundary scan 测试 能力
− 增加 部分 4.1.1, initialization (所需的)东西 为 boundary scan 测试
− 增加 部分 4.1.2, boundary scan 描述 language (bsdl) 模型
77 增加 部分 标题 “4.2 必备资料 support”
78 updated 部分 4.3, 设备 和 开发-支持 tool 命名法