电源 mosfets
1
发行 日期: march 2004 SJG00028AED
2SK3277
硅 n-频道 电源 场效应晶体管
■
特性
•
avalanche 活力 能力 有保证的
•
高-速 切换
•
非 secondary 损坏
■
产品
•
非-联系 接转
•
solenoid 驱动
•
发动机 驱动
•
控制 设备
•
切换 模式 调整器
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
流-源 surrender 电压 V
DSS
200 V
门-源 surrender 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 I
D
±
2.5 一个
顶峰 流 电流 I
DP
±
5A
avalanche 活力 能力
*
EAS 15 mJ
电源 消耗 P
D
10 W
T
一个
=
25
°
C1
频道 温度 T
ch
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 surrender 电压 V
DSS
I
D
=
1 毫安, v
GS
=
0 200 V
流-源 截止 电流 I
DSS
V
DS
=
160 v, v
GS
=
010
µ
一个
门-源 截止 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20 v, v
DS
=
0
±
10
µ
一个
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
25 v, i
D
=
1 毫安 2.0 4.0 V
流-源 在 阻抗 R
ds(在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
1.25 一个 1.2 1.7
Ω
向前 转移 admittance
Y
fs
V
DS
=
25 v, i
D
=
1.25 一个 0.7 1.3 S
二极管 向前 电压 V
DF
I
DR
=
2.5 一个, v
GS
=
0
−
1.4 V
短的-电路 向前 转移 电容
C
iss
V
DS
=
20 v, v
GS
=
0, f
=
1 mhz 170 pF
(一般 源)
短的-电路 输出 电容
C
oss
25 pF
(一般 源)
反转 转移 电容
C
rss
15 pF
(一般 源)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
=
100 v, i
D
=
1 一个, r
L
=
100
Ω
18 ns
上升 时间 t
r
V
GS
=
10 v 35 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
200 ns
下降 时间 t
f
60 ns
热的 阻抗 (ch-c) R
th(ch-c)
12.5
°
c/w
热的 阻抗 (ch-一个) R
th(ch-一个)
125
°
c/w
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
便条) 测量 方法是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
便条)
*
:l
=
5 mh, i
L
=
2.5 一个, 1 脉冲波
内部的 连接
G
S
D
标记 标识: k3277
单位: mm
1: 门
2: 流
3: 源
eiaj: sc-63 u-g1 包装
6.5
±
0.1
2.3
±
0.1
(5.3)
(4.35)
(3.0)
(1.8)
(5.5)
0.75
±
0.1
2.3
±
0.1
4.6
±
0.1
123
0.5
±
0.1
1.0
±
0.1
0.1
±
0.05
0.5
±
0.1
0.8 最大值
1.0
±
0.2
7.3
±
0.1
1.8
±
0.1
2.5
±
0.1
5.3
±
0.1
4.35
±
0.1
这个 产品 遵守 和 这 rohs directive (eu 2002/95/ec).
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