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资料编号：1102837
 
资料名称：EMF5
 
文件大小： 99K
   
说明：
 
介绍:
Power management (dual transistors)
 
 


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EMF5
晶体管
3/4
!
!!
!
电的 典型的 曲线
Tr1
0
1
100
1000
10
根基 至 发射级 电压 : v
是
(v)
图.1 grounded 发射级 传播
特性
集电级 电流 : i
C
(毫安)
1.41.0 1.20.4 0.6 0.80.2
V
CE
=2V
搏动
Ta=125
°
C
Ta=25
°
C
Ta=
−
40
°
C
1 10 100 1000
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.2 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
1
直流 电流 增益 : h
FE
10
1000
100
Ta
=
125
°
C
Ta
=−
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
搏动
1 10 100 1000
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.3 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
Ι
)
1
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
10
1000
100
Ta=25
°
C
搏动
I
C
/i
B
=
50
I
C
/i
B
=
20
I
C
/i
B
=
10
1 10 100 1000
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
ΙΙ
)
1
集电级 饱和 电压 : v
ce (sat)
(v)
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
Ta
=−
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/i
B
=
20
搏动
1 10 100 1000
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.5 根基-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
10
baser 饱和 电压 : v
是 (sat)
(mv)
100
10000
1000
Ta
=
25
°
C
Ta
=−
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/i
B
=
20
搏动
1 10 100 1000
发射级 电流 : i
E
(毫安)
图.6 增益 带宽 产品
vs. 发射级 电流
1
转变 频率 : f
T
(mhz)
10
1000
100
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
搏动
1 10 1000.1
1
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
集电级 输出 电容 : cob (pf)
发射级 输入 电容 : cib (pf)
发射级 至 根基 电压 : v
EB
(
v)
图.7 集电级 输出 电容
vs. 集电级-根基 电压
发射级 输入 电容
vs. 发射级-根基 电压
Cib
Cob
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