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RTM002P02
晶体管
2/2
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识
I
GSS
Y
fs
最小值
−
典型值 最大值
单位
情况
V
(br) dss
I
DSS
V
gs (th)
R
ds (在)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
∗
∗
∗
∗
∗
∗
门-源 泄漏
流-源 损坏 电压
零 门 电压 流 电流
门 门槛 电压
静态的 流-源 在-状态
阻抗
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
∗
搏动
−±
10
µ
AV
GS
=
±
12v, v
DS
=0V
−
20
−−
VI
D
=
−
1ma, v
GS
=0V
−−−
1
µ
AV
DS
=
−
20v, v
GS
=0V
−
0.7
−−
2.0 V V
DS
=
−
10v, i
D
=
−
1mA
−
1.0 1.5 I
D
=
−
0.2a, v
GS
=
−
4.5v
−
1.1 1.6
Ω
Ω
Ω
I
D
=
−
0.2a, v
GS
=
−
4V
−
2.0 3.0 I
D
=
−
0.15a, v
GS
=
−
2.5v
0.2
−−
SV
DS
=
−
10v, i
D
=
−
0.15a
−
50
−
pF V
DS
=
−
10V
−
5
5
−
pF V
GS
= 0v
−
9
−
pF f=1MHz
−
6
−
ns
−
35
−
ns
−
45
−
ns
−−
ns
V
DD
−
15
V
I
D
=
−
0.15a
V
GS
=
−
4.5v
R
L
= 100
Ω
R
G
= 10
Ω
z
身体 二极管 特性
(源-流)
(ta=25
°
c)
V
SD
−−−
1.2 V I
S
=
−
0.1a, v
GS
=0vforward 电压
参数 标识
最小值 典型值 最大值
单位
情况

标　题:
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RTM002P02 晶体管 2/2 z 电的特性 (ta=25 ° c) 参数标识 I GSS Y fs 最小值 − 典型值最大值单位情况 V (br) dss I DSS V gs (th) R ds (在) C iss C oss C rss t d (在) t r t d (止) t f ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ 门-源泄漏流-源损坏电压零门电压流电流门门槛电压静态的流-源在-状态阻抗向前转移 admittance 输入电容输出电容反转转移电容转变-在延迟时间上升时间转变-止延迟时间下降时间 ∗ 搏动 −± 10 µ AV GS = ± 12v, v DS =0V − 20 −− VI D = − 1ma, v GS =0V −−− 1 µ AV DS = − 20v, v GS =0V − 0.7 −− 2.0 V V DS = − 10v, i D = − 1mA − 1.0 1.5 I D = − 0.2a, v GS = − 4.5v − 1.1 1.6 Ω Ω Ω I D = − 0.2a, v GS = − 4V − 2.0 3.0 I D = − 0.15a, v GS = − 2.5v 0.2 −− SV DS = − 10v, i D = − 0.15a − 50 − pF V DS = − 10V − 5 5 − pF V GS = 0v − 9 − pF f=1MHz − 6 − ns − 35 − ns − 45 − ns −− ns V DD − 15 V I D = − 0.15a V GS = − 4.5v R L = 100 Ω R G = 10 Ω z 身体二极管特性 (源-流) (ta=25 ° c) V SD −−− 1.2 V I S = − 0.1a, v GS =0vforward 电压参数标识最小值典型值最大值单位情况

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