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RHU003N03
晶体管
2/2
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识
I
GSS
Y
fs
最小值
−
典型值 最大值
单位
情况
V
(br) dss
I
DSS
V
gs (th)
R
ds (在)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
∗
∗
∗
∗
∗
∗
门-源 泄漏
流-源 损坏 电压
零 门 电压 流 电流
门 门槛 电压
静态的 流-源 在-状态
阻抗
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
∗
搏动
−
±10
µ
AV
GS
=±20v, v
DS
=0V
30
−−
VI
D
= 1ma, v
GS
=0V
−−
1
µ
AV
DS
= 30v, v
GS
=0V
1.0
−
2.5 V V
DS
= 10v, i
D
= 1ma
−
0.8 1.2 I
D
= 300ma, v
GS
= 10v
−
1.2 1.9
Ω
Ω
Ω
I
D
= 300ma, v
GS
= 4.5v
−
1.4 2.3 I
D
= 300ma, v
GS
= 4v
0.2
−−
SV
DS
= 10v, i
D
= 300ma
−
20
−
pF V
DS
= 10v
−
13
4
−
pF V
GS
=0V
−
7
−
pF f=1MHz
−
6
−
ns
−
9
−
ns
−
40
−
ns
−−
ns
V
DD
15
V
I
D
= 150ma
V
GS
= 10v
R
L
=100
Ω
R
G
=10
Ω
z
身体 二极管 特性
(源-流)
(ta=25
°
c)
V
SD
−−
1.2 V I
S
= 0.16a, v
GS
=0vforward 电压
参数 标识
最小值 典型值 最大值
单位
情况

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RHU003N03 晶体管 2/2 z 电的特性 (ta=25 ° c) 参数标识 I GSS Y fs 最小值 − 典型值最大值单位情况 V (br) dss I DSS V gs (th) R ds (在) C iss C oss C rss t d (在) t r t d (止) t f ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ 门-源泄漏流-源损坏电压零门电压流电流门门槛电压静态的流-源在-状态阻抗向前转移 admittance 输入电容输出电容反转转移电容转变-在延迟时间上升时间转变-止延迟时间下降时间 ∗ 搏动 − ±10 µ AV GS =±20v, v DS =0V 30 −− VI D = 1ma, v GS =0V −− 1 µ AV DS = 30v, v GS =0V 1.0 − 2.5 V V DS = 10v, i D = 1ma − 0.8 1.2 I D = 300ma, v GS = 10v − 1.2 1.9 Ω Ω Ω I D = 300ma, v GS = 4.5v − 1.4 2.3 I D = 300ma, v GS = 4v 0.2 −− SV DS = 10v, i D = 300ma − 20 − pF V DS = 10v − 13 4 − pF V GS =0V − 7 − pF f=1MHz − 6 − ns − 9 − ns − 40 − ns −− ns V DD 15 V I D = 150ma V GS = 10v R L =100 Ω R G =10 Ω z 身体二极管特性 (源-流) (ta=25 ° c) V SD −− 1.2 V I S = 0.16a, v GS =0vforward 电压参数标识最小值典型值最大值单位情况

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