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资料编号:1102996
 
资料名称:2SD1980
 
文件大小: 67K
   
说明
 
介绍:
Power Transistor (100V , 2A)
 
 


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2SD2170
晶体管
rev.一个 2/2
z
电的 典型的 曲线
2.0
集电级 电流 : i
C
(
一个)
5
23410
1.2
1.6
0.4
0.8
0
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(
v)
图.1 grounded 发射级 输出
特性
Ta=25
°
C
1.0ma
0.9ma
0.6ma
0.4ma
I
B
=0.3ma
0.8ma
0.7ma
0.5ma
集电级 电流 : i
C
(
一个)
3
1.51 2 2.50.50
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
1
2
5
0.2
0.5
根基 至 发射级 电压 : v
(
v)
图.2 grounded 发射级 传播
特性
Ta=25
°
C
V
CE
=2V
直流 电流 增益 : h
FE
512
0.02 0.05 0.1 0.2 0.50.010.005
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
20
集电级 电流 : i
C
(
一个)
图.3 直流 电流 增益 vs. 集电级 电流
Ta=25
°
C
V
CE
=4V
2V
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
5120.05 0.1 0.2 0.50.020.01
0.2
0.5
1
2
5
0.1
集电级 电流 : i
C
(
一个)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
Ta=25
°
C
I
C
/i
B
=1000
500
集电级 输出 电容 : cob (pf)
5010 20
0.5 1 2 50.1
10
20
50
100
200
5
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(
v)
图.5 集电级 输出 电容
vs. 集电级-根基 电压
Ta=25
°
C
f=1MHz
I
E
=0A
ic (一个)
100010 100
10.1
0.01
0.1
1
10
0.001
V
CE
(
v)
图.6 safe 运行 范围
Ta=25
°
C
单独的
Nonrepetitive
脉冲波
1ms
直流
10ms
Pw=10ms
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