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资料编号:1103014
 
资料名称:2SC5103
 
文件大小: 80K
   
说明
 
介绍:
High speed switching transistor (60V, 5A)
 
 


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2SC5103
晶体管
rev.一个 2/3
z
电的 特性 曲线
集电级 电流 : i
C
(一个)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
图.1 地面 发射级 输出 特性
0
5
4
3
2
1
123450
Ta
=
25
°
C
I
B
=
5mA
10mA
15mA
20mA
25mA
30mA
35mA
40mA
45mA
50mA
根基 至 发射级 电压 : v
(v)
集电级 电流 : i
C
(一个)
图.2
地面 发射级 传播 特性
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.60
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
2V
1000
200
100
20
10
1
0.01 0.02 0.05
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
2
5
50
500
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(一个)
图.3 直流 电流 增益 vs. 集电级 电流
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
2V
根基 饱和 电压
: v
是(sat)
(v)
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 : i
C
(一个 )
图.4
集电级-发射级 饱和 电压
根基-发射级 饱和 电压
集电级 电流
10
2
1
0.2
0.1
0.01
0.01 0.02 0.05
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
0.02
0.05
0.5
5
Ta
= −
25
°
C
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
100
°
C
I
C
/i
B
=
20
V
是(sat)
V
ce(sat)
集电级 输出 capacitwance : cob(pf)
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
图.6 集电级 输出 电容 vs.
集电级-根基 电压
10000
2000
1000
200
100
10
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
20
50
500
5000
Ta
=
25
°
C
I
E
=
0A
f
=
1MHz
1000
200
100
20
10
1
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
50
500
转变 频率 : f
T
(mhz)
发射级 电流 : i
E
(一个)
图.5
增益 带宽 产品 vs.发射级 电流
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
strage 时间 : tstg (
µ
s
)
下降 时间 : tf (
µ
s
)
转变 在 时间 : ton (
µ
s
)
集电级 电流 : i
C
(一个)
图.7 切换 特性
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
I
C
=
20 i
B1
= −
20 i
B2
脉冲波
tstg
tf
ton
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
集电级 电流 : i
C
(一个)
图.8 safe 运行 范围
0.5 1 2 5 10
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20 50 100
Tc
=
25
°
C
Ic
最大值
(脉冲波
)
单独的
nonrepetitive
脉冲波
Pw
=
100ms
10ms
直流
时间 : t
(s)
瞬时 热的 阻抗
: r
th
(
°
c/w)
图.9 瞬时 热的 阻抗
0.1
0.01
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
1
10
10000
1000
100
(1)使用 极大的 热温 下沉
(2)unmounted
(1)
(2)
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