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资料编号:1103034
 
资料名称:2SA2018
 
文件大小: 67K
   
说明
 
介绍:
Low frequency transistor
 
 


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2sa1037ak / 2sa1576a / 2sa1774 /
晶体管
2sa2029 / 2sa933as
rev.一个 3/3
z
电的 典型的 曲线
图.1 grounded 发射级 传播
特性
0.2
集电级 电流 : ic (
毫安)
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
=
6V
根基 至 发射级 电压 : v
(
v)
Ta=100˚C
25˚C
40˚C
图.2 grounded 发射级 输出
特性 (i)
0.4
4
8
1.20
2
6
10
0.8
1.6
2.0
3.5
µ
一个
7.0
10.5
14.0
17.5
21.0
24.5
28.0
31.5
I
B
=0
Ta=25˚C
35.0
集电级 电流 : i
C
(
毫安)
集电级 至 mitter 电压 : v
CE
(
v)
图.3 grounded 发射级 输出
特性 (ii)
40
80
5
3
4
2
1
20
60
100
0
I
B
=0
Ta=25˚C
集电级 电流 : i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(
v)
50
µ
一个
100
150
200
250
500
450
400
350
300
图.4 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (i)
500
200
100
50
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
直流 电流 增益 : h
FE
Ta=25˚C
V
CE
=
5V
3V
1V
集电级 电流 : i
C
(
毫安)
图.5 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (ii)
500
200
100
50
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(
毫安)
V
CE
=
6V
Ta=100˚C
40˚C
25˚C
图.6 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 (i)
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
1
0.5
0.2
0.05
Ta=25˚C
集电级 电流 : i
C
(
毫安)
I
C
/i
B
=
50
20
10
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(
v)
图.7 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 (ii)
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
1
0.5
0.2
0.05
集电级 电流 : i
C
(
毫安)
l
C
/l
B
=10
Ta=100˚C
25˚C
40˚C
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(
v)
图.8 增益 带宽 产品 vs.
发射级 电流
50 1000.5 20
50
100
200
500
1000
12 510
发射级 电流 : i
E
(
毫安)
转变 频率 : f
T
(
mhz)
Ta=25˚C
V
CE
=
12V
图.9
集电级 输出 电容 vs.
集电级-根基 电压
发射级 inputcapacitance vs.
发射级-根基 电压
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
发射级 至 根基 电压 : v
EB
(v)
集电级 输出 电容 : cob (
pf)
发射级 输入 电容 : cib (
pf)
0.5
20
2
5
10
1
2
5
10
20
Cib
Cob
Ta=25˚C
f=1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
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