2SA2005
晶体管
1/1
为 音频的 放大器 输出 - tv velosity
调制 (
−
160v,
−
1.5a)
2SA2005
z
结构
z
外部 维度
(单位 : mm)
pnp 硅 外延的 planar 晶体管
至-220fn
(1)根基
(2)集电级
(3)发射级
4.5
2.8
0.75
φ
3.2
(
2
)(
3
)(
1
)
0.8
2.54 2.62.54
1.3
1.2
14.0
12.0
8.05.0
10.0
15.0
z
特性
1) 电的 特性 的 直流 电流 增益 h
FE
是 flat.
2) 高 损坏 电压. (bv
CEO
=
−
160v(最小值.), 在 i
C
=
−
1ma)
3) 高 f
T
. (典型值. 150mhz, 在 v
CE
=
−
10v, i
E
=0.2a, f=100mhz)
4) 宽 soa.
z
产品
z
Complements
电源 放大器
velosity 调制
PNP
2SA2005
NPN
2SC5511
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
z
包装 规格 和 h
FE
h
FE
值 是 classified 作 跟随:
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 情况
集电级-根基 损坏 电压
I
C
=
−
50
µ
一个
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
=
−
1mA
发射级-根基 损坏 电压
I
E
=
−
50
µ
一个
集电级 截止 电流
V
CB
=
−
160V
发射级 截止 电流
V
EB
=
−
4V
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
/i
B
=
−
1a/
−
0.1a
直流 电流 增益
V
CE
=
−
5v, i
C
=
−
0.1a
转变 频率
V
CE
=
−
10v, i
E
=0.2a , f=100mhz
集电级 输出 电容
标识
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
h
FE
f
T
Cob
最小值
−
160
−
160
−
5
−
−
−
100
−
−
典型值
−
−
−
−
−
−
−
150
35
最大值
−
−
−
−
1.0
−
1.0
−
1.0
200
−
−
单位
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
根基-发射级 饱和 电压
I
C
/i
B
=
−
1a/
−
0.1a
V
是(sat)
−−−
1.5
V
−
MHz
pF
V
CB
=
−
10v , i
E
=0a , f=1mhz
包装
代号
−
Taping
基本 订货 单位 (片)
2SC5511 E
500
类型
h
FE
100 至 200
h
FE
Item E
集电级 电源 消耗
P
2
w(ta=25
参数
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
接合面 温度
存储 温度
C
标识
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Tj
Tstg
限制
160
−
160
−
5
−
1.5
20
150
−
55 至
+
150
单位
V
V
一个
I
CP
直流
脉冲波
−
3
一个
°
C
集电级-根基 电压
V
−
V
)
w(tc=25
°
c)
°
C
°
C
∗
1
∗
1 t=100ms
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