jul. 2005
mitsubishi hvigbt modules
cm800hc-66h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
3rd-版本 hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
电容 特性
(
典型
)
集电级-发射级 电压
(
V
)
电容
(
nF
)
门 承担 特性
(
典型
)
门 承担
(
µ
C
)
门-发射级 电压
(
V
)
集电级 电流
(
一个
)
切换 energies
(
j/脉冲波
)
half-桥
切换 活力 特性
(
典型
)
门 阻抗
(
Ω
)
切换 energies
(
j/脉冲波
)
half-桥
切换 活力 特性
(
典型
)
20
16
12
8
4
0
64208
2.5
2
1.5
1
0.5
0
12008004000 1600
4
3
2
1
0
1510
5020
10
2
10
3
10
1
10
0
10
0
10
-1
23 57
10
1
10
2
23 57 23 57
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
E
在
E
止
E
rec
E
止
C
ies
C
oes
C
res
V
CC
= 1650v, i
C
= 800a
V
GE
=
±
15V
T
j
= 125
°
c, inductive 加载
V
CC
= 1650v, v
GE
=
±
15V
R
g(在)
= r
g(止)
= 2.5
Ω
T
j
= 125
°
c, inductive 加载
E
在
V
GE
= 0v, t
j
= 25
°
C
f = 100khz
V
CC
= 1650v, i
C
= 800a
T
j
= 25
°
C
E
rec
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