绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
)
±
7V
I
输出
输出 是 短的 电路 保护 至
地面, 但是 最大 可靠性 将
是 maintained 如果 I
输出
做 不
超过... 60mA
一般 模式 输入 电压
±
V
CC
差别的 输入 电压 10V
接合面 温度 +150˚C
运行 温度 范围 −40˚C 至 +85˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 焊盘 持续时间 (+300˚c) 10 秒
静电释放 比率 (人 身体 模型) 1000V
运行 比率
热的 阻抗
包装 (
θ
JC
)(
θ
JA
)
MDIP 95˚c/w 115˚c/w
SOIC 75˚c/w 160˚c/w
sot23-5 115˚c/w 185˚c/w
电的 特性
一个
V
= +2, V
CC
=
±
5v, R
L
= 100
Ω
,r
f
= 250
Ω
; 除非 指定
标识 参数 情况 典型值 最大值/最小值
(便条 2)
单位
包围的 温度 CLC409AJ +25˚C −40˚C +25˚C +85˚C
频率 Domain 效能
SSBW -3db 带宽 V
输出
<
2V
PP
350
>
250
>
250
>
200 MHz
LSBW V
输出
<
5V
PP
110
>
90
>
90
>
80 MHz
增益 Flatness V
输出
<
0.5v
PP
GFPL Peaking 直流 至 75MHz 0
<
0.4
<
0.4
<
0.4 dB
GFPH Peaking
>
75MHz 0
<
0.8
<
0.8
<
0.8 dB
GFR1 Rolloff 直流 至 125MHz 0.2
<
1.0
<
1.0
<
1.0 dB
GFR2 Rolloff
@
200MHz 1.0
<
2.0
<
2.2
<
3.0 dB
LPD 直线的 阶段 背离 直流 至 100MHz 0.3
<
0.8
<
0.8
<
1.0 deg
DG1 差别的 增益 R
L
=150
Ω
, 3.58mhz 0.03
<
0.07
<
0.06
<
0.06 %
DG2 R
L
=150
Ω
, 4.43mhz 0.03
<
0.07
<
0.06
<
0.06 %
DP1 差别的 阶段 R
L
= 150
Ω
, 3.58mhz 0.01
<
0.02
<
0.02
<
0.02 deg
DP2 R
L
=150
Ω
, 4.43mhz 0.01
<
0.02
<
0.02
<
0.02 deg
时间 Domain 回馈
TRS 上升 和 下降 时间 2V 步伐 1.3
<
1.6
<
1.6
<
1.6 ns
TRL 5V 步伐 3.5
<
4.2
<
4.2
<
4.6 ns
TS 安排好 时间 至
±
0.1% 2V 步伐 8
<
12
<
12
<
12 ns
OS 越过 2V 步伐 5
<
15
<
18
<
18 %
SR 回转 比率 1200
>
1000
>
1000
>
1000 v/µs
扭曲量 和 噪音 回馈
HD2L 2nd 调和的 扭曲量 2V
PP
, 5MHz −86
<
−78
<
−81
<
−81 dBc
HD2 2V
PP
, 20MHz −65
<
−56
<
−56
<
−56 dBc
HD2H 2V
PP
, 60MHz −49
<
−41
<
−44
<
−44 dBc
HD3L 3rd 调和的 扭曲量 2V
PP
, 5MHz −84
<
−76
<
−76
<
−76 dBc
HD3 2V
PP
, 20MHz −72
<
−65
<
−65
<
−65 dBc
HD3H 2V
PP
, 60MHz −59
<
−52
<
−52
<
−52 dBc
相等的 输入 噪音
VN 非-反相的 电压
>
1MHz 2.2
<
2.8
<
2.8
<
3.1 nv/
ICN 反相的 电流
>
1MHz 14.3
<
18
<
18
<
20 pa/
NCN 非-反相的 电流
>
1MHz 3.2
<
4.0
<
4.0
<
4.5 pa/
SNF 总的 噪音 Floor
>
1MHz −157
<
−155
<
−155
<
−154 dBm
1Hz
INV 总的 整体的 噪音 1MHz 至 150MHz 38
<
47
<
47
<
52 µV
CLC409
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