8月.2004
V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v
V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
CC
= 600v, i
C
= 400a, v
GE
= 15v
V
CC
= 600v, i
C
= 400a
V
GE1
= v
GE2
= 15v
R
G
= 0.78
Ω
, inductive 加载 切换 运作
I
E
= 400a
I
E
= 400a, v
GE
= 0v
igbt 部分 (1/2 单元)
fwdi 部分 (1/2 单元)
情况 至 fin, 热的 复合 应用
*2
(1/2 单元)
igbt 部分 (1/2 单元)
fwdi 部分 (1/2 单元)
I
C
= 40ma, v
CE
= 10v
I
C
= 400a, v
GE
= 15v
V
CE
= 10v
V
GE
= 0v
门-发射级 门槛 电压
热的 阻抗
*1
集电级-发射级 电压
门-发射级 电压
最大 集电级 消耗
最大 集电级 消耗
接合面 温度
存储 温度
分开 电压
重量
1200
±
20
400
800
400
800
1040
2450
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
580
mitsubishi igbt modules
cm400du-24nfh
高 电源 切换 使用
V
V
一个
一个
一个
一个
W
W
°
C
°
C
V
n • m
n • m
g
1
1.4
6.5
—
63
5.3
1.2
—
300
100
500
150
250
—
3.5
0.12
0.23
—
0.051
*3
0.093
*3
7.8
毫安
µ
一个
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
µ
C
V
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
Ω
—
—
5.0
5.0
—
—
—
1800
—
—
—
—
—
16
—
—
—
0.02
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.78
6V
V
4.5 7.5
ns
集电级 截止 电流
门 泄漏 电流
集电级-发射级
饱和 电压 (便条 4)
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
总的 门 承担
转变-在 延迟 时间
转变-在 上升 时间
转变-止 延迟 时间
转变-止 下降 时间
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
发射级-集电级 电压
联系 热的 阻抗
热的 阻抗
*4
外部 门 阻抗
I
CES
I
GES
C
ies
C
oes
C
res
Q
G
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
t
rr (
便条 1
)
Q
rr (
便条 1
)
V
ec(
便条 1
)
R
th(j-c)
Q
R
th(j-c)
R
R
th(c-f)
R
th(j-c’)
Q
R
th(j-c’)
R
R
G
标识
参数
V
ge(th)
V
ce(sat)
*
1 : t
C
量过的 要点 是 显示 在 页 外形 绘画.
*
2 : 典型 值 是 量过的 用 使用 shin-etsu silicone “g-746”.
*
3 : 如果 你 使用 这个 值, r
th(f-一个)
应当 是 量过的 just 下面 这 碎片.
*
4 : t
C
’ 量过的 要点 是 just 下面 这 碎片.
便条 1. i
E
, v
EC
, t
rr
&放大; q
rr
代表 特性 的 这 反对-并行的, 发射级 至 集电级 自由-轮子 二极管 (fwdi).
2. 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
jmax
比率.
3. 接合面 温度 (t
j
) 应当 不 增加 在之外 150
°
c.
4. 非 短的 电路 能力 是 设计.
g-e 短的
c-e 短的
运作 (便条 2)
脉冲波 (便条 2)
运作 (便条 2)
脉冲波 (便条 2)
T
C
= 25
°
C
T
C
’ = 25
°
C
*4
主要的 终端 至 根基 加设护板, 交流 1 最小值
主要的 终端 m6
挂载 孔 m6
典型 值
标识 参数
集电级 电流
发射级 电流
挂载 torque
情况 单位比率
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
e (
便条 1
)
I
em (
便条 1
)
P
c (
便条 3
)
P
C
’
(
便条 3
)
T
j
T
stg
V
iso
—
—
—
单位
典型值
限制
最小值 最大值
测试 情况
最大 比率
(tj = 25
°
c)
电的 特性
(tj = 25
°
c)
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