RD01MUS1_集成电路资料查询网

mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
静电的 敏感的 设备
RD01MUS1
rohs 遵从,  硅 场效应晶体管 电源 晶体管 520mhz,1w
RD01MUS1
mitsubishi electric
10 jan 2006
注意到 处理 预防措施
测试 电路(f=520mhz)
4mm
4mm
5mm
68pF
微观的 strip 线条 宽度=1.0mm/50ohm,er:4.8,t=0.6mm
便条:板 材料-glass epoxi 基质
C1
,c2: 1000pF,0.022uf 在parallel
C2
L1
25.5mm
68OHM
18mm
rf-输出
C1
10uf,50v
3mm
13mm
4mm
6.5mm
17.5mm
l1: enameled 线 5turns,d:0.43mm,2.46mmo.d
240pF
4.7kohm
11mm
Vgg Vdd
62pFrf-在
62pF
30mm
24pF
3pF
10pF
5.5mm
RD01MUS1
输入/输出 阻抗 vs. 频率 特性
520mhz zin* zout*
Zo=50
Ω
vdd=7.2v, idq=100ma(vgg adj.),管脚=0.03w
zin* =3.11+j11.56
zout*=11.64+j4.74
zin*: complex conjugate 的 输入 阻抗
zout*: complex conjugate 的 输入 阻抗
520mhz zin*
520mhz zout*
4/6

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管静电的敏感的设备 RD01MUS1 rohs 遵从, 硅场效应晶体管电源晶体管 520mhz,1w RD01MUS1 mitsubishi electric 10 jan 2006 注意到处理预防措施测试电路(f=520mhz) 4mm 4mm 5mm 68pF 微观的 strip 线条宽度=1.0mm/50ohm,er:4.8,t=0.6mm 便条:板材料-glass epoxi 基质 C1 ,c2: 1000pF,0.022uf 在parallel C2 L1 25.5mm 68OHM 18mm rf-输出 C1 10uf,50v 3mm 13mm 4mm 6.5mm 17.5mm l1: enameled 线 5turns,d:0.43mm,2.46mmo.d 240pF 4.7kohm 11mm Vgg Vdd 62pFrf-在 62pF 30mm 24pF 3pF 10pF 5.5mm RD01MUS1 输入/输出阻抗 vs. 频率特性 520mhz zin* zout* Zo=50 Ω vdd=7.2v, idq=100ma(vgg adj.),管脚=0.03w zin* =3.11+j11.56 zout=11.64+j4.74 zin: complex conjugate 的输入阻抗 zout: complex conjugate 的输入阻抗 520mhz zin 520mhz zout* 4/6

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com