2
ltz1000/ltz1000a
sn1000 1000afas
heater 至 基质 .................................................. 35V
集电级 发射级 损坏 q1 .............................. 15V
集电级 发射级 损坏 q2 .............................. 35V
发射级 根基 反转 偏差 ......................................... 2V
运行 温度 范围 ....... –55
°
C
≤
T
一个
≤
125
°
C
存储 温度 范围 .......... –65
°
C
≤
T
一个
≤
150
°
C
基质 向前 偏差 .......................................... 0.1v
绝对 axi u rati gs
WWWU
包装/顺序 i 为 atio
UU
W
(便条 1)
咨询 ltc 营销 为 部分 指定 和 wider 运行 温度 范围.
电的 特性
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
齐纳 电压 l
Z
= 5ma, (v
Z
+ vbe
Q1
) i
Q1
= l00
µ
一个 7.0 7.2 7.5 V
l
Z
= 1ma, (v
Z
+ vbe
Q1
) i
Q1
= l00a 6.9 7.15 7.45 V
齐纳 改变 和 电流 1mA
≤
I
Z
< 5ma 80 240 mV
齐纳 泄漏 电流 V
Z
= 5v 20 200
µ
一个
齐纳 噪音 l
Z
= 5ma, 0.1hz < f < 10hz 1.2 2
µ
V
p-p
1
Q1
= 100
µ
一个
heater 阻抗 I
L
≤
100
µ
一个 200 300 420
Ω
heater 损坏 电压 35 V
晶体管 q1 损坏 I
C
= 10
µ
一个, lvceo 15 20 V
晶体管 q2 损坏 I
C
=
10
µ
一个, lvceo 35 50 V
q1, q2 电流 增益 I
C
=
100
µ
一个 80 200 450
热的 阻抗 LTZ1000 时间 = 5 分钟 80
°
c/w
LTZ1000A 时间 = 5 分钟 400
°
c/w
长 期 稳固 t = 65
°
C2
µ
V
√
kHr
便条 1:
绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 生命
的 一个 设备 将 是 impaired.
便条 2:
所有 测试 是 完毕 在 25
°
c. 脉冲波 测试 是 使用 为 ltz1000a 至
降低 温度 上升 在 测试. ltz1000 和 ltz1000a 设备
是 qa 测试 在 –55
°
c 和 125
°
c.
(便条 2)
bottom 视图
h8 包装
至-5 metal 能
θ
JA
= 80
°
c/w,
θ
JA
= 400
°
c/w
1
7V
Q1
Q2
3
5
4
8
7
62
顺序 部分
号码
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
ltz1000 • poi01
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