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ltc1778/ltc1778-1
1778fa
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
这 基本 ltc1778 应用 电路 是 显示 在
图示 1. 外部 组件 选择 是 primarily de-
termined 用 这 最大 加载 电流 和 begins 和
这 选择 的 这 sense 阻抗 和 电源 场效应晶体管
switches. 这 ltc1778 使用 这 在-阻抗 的 这
同步的 电源 场效应晶体管 为 determining 这 induc-
tor 电流. 这 desired 数量 的 波纹 电流 和
运行 频率 largely 确定 这 inductor 值.
最终, c
在
是 选择 为 它的 能力 至 handle 这 大
rms 电流 在 这 转换器 和 c
输出
是 选择 和
低 足够的 等效串联电阻 至 满足 这 输出 电压 波纹 和
瞬时 规格.
choosing 这 ltc1778 或者 ltc1778-1
这 ltc1778 有 一个 打开-流 pgood 输出 那
indicates 当 这 输出 电压 是 在里面
±
7.5
% 的 这
规章制度 要点. 这 ltc1778-1 trades 这 pgood 管脚 为
一个 v
在
管脚 那 准许 这 在-时间 至 是 调整. tying 这
V
在
管脚 高 结果 在 更小的 值 为 r
在
这个 是 有用的
在 高 v
输出
产品. 这 v
在
管脚 也 提供 一个
意思 至 调整 这 在-时间 至 维持 常量 fre-
quency 运作 在 产品 在哪里 v
输出
改变 和
至 准确无误的 minor 频率 shifts 和 改变 在 加载
电流. 最终, 这 v
在
管脚 能 是 使用 至 提供
额外的 电流 限制的 在 积极的-至-负的 转变-
ers 和 作 一个 控制 输入 至 同步 这 切换
频率 和 一个 阶段 锁 循环.
最大 sense 电压 和 v
RNG
管脚
inductor 电流 是 决定 用 测量 这 电压
横过 一个 sense 阻抗 那 呈现 在 这 pgnd
和 sw 管脚. 这 最大 sense 电压 是 设置 用 这
电压 应用 至 这 v
RNG
管脚 和 是 equal 至 approxi-
mately (0.133)v
RNG
. 这 电流 模式 控制 循环 将
不 准许 这 inductor 电流 valleys 至 超过
(0.133)v
RNG
/r
SENSE
. 在 实践, 一个 应当 准许 一些
余裕 为 变化 在 这 ltc1778 和 外部 混合-
nent 值 和 一个 好的 手册 为 selecting 这 sense
阻抗 是:
R
V
I
SENSE
RNG
输出 最大值
=
10 •
()
一个 外部 resistive 分隔物 从 intv
CC
能 是 使用 至
设置 这 电压 的 这 v
RNG
管脚 在 0.5v 和 2v
结果 在 名义上的 sense 电压 的 50mv 至 200mv.
additionally, 这 v
RNG
管脚 能 是 系 至 sgnd 或者 intv
CC
在 这个 情况 这 名义上的 sense 电压 defaults 至 70mv
或者 140mv, 各自. 这 最大 允许 sense
电压 是 关于 1.33 时间 这个 名义上的 值.
电源 场效应晶体管 选择
这 ltc1778 需要 二 外部 n-频道 电源
mosfets, 一个 为 这 顶 (主要的) 转变 和 一个 为 这
bottom (同步的) 转变. 重要的 参数 为
这 电源 mosfets 是 这 损坏 电压 v
(br)dss
,
门槛 电压 v
(gs)th
, 在-阻抗 r
ds(在)
, 反转
转移 电容 c
RSS
和 最大 电流 i
ds(最大值)
.
这 门 驱动 电压 是 设置 用 这 5v intv
CC
供应.
consequently, 逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是
使用 在 ltc1778 产品. 如果 这 输入 电压 是
预期的 至 漏出 在下 5v, 然后 sub-逻辑 水平的 门槛
mosfets 应当 是 考虑.
当 这 bottom 场效应晶体管 是 使用 作 这 电流 sense
元素, particular 注意 必须 是 paid 至 它的 在-
阻抗. 场效应晶体管 在-阻抗 是 典型地 指定
和 一个 最大 值 r
ds(在)(最大值)
在 25
°
c. 在 这个 情况,
额外的 余裕 是 必需的 至 accommodate 这 上升 在
场效应晶体管 在-阻抗 和 温度:
R
R
DS 在 最大值
SENSE
T
()( )
=
ρ
这
ρ
T
期 是 一个 normalization 因素 (统一体 在 25
°
c)
accounting 为 这 重大的 变化 在 在-阻抗
图示 2. r
ds(在)
vs. 温度
接合面 温度 (
°
c)
–50
ρ
T
normalized 在-阻抗
1.0
1.5
150
1778 f02
0.5
0
0
50
100
2.0
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