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LTC3708
3708f
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
这 基本 ltc3708 应用 电路 是 显示 在 这
第一 页 的 这个 数据 薄板. 外部 组件 selec-
tion 是 primarily 决定 用 这 最大 加载 cur-
rent 和 begins 和 这 选择 的 这 电源 场效应晶体管
switches 和/或者 sense 电阻. 为 这 ltc3708, 这
inductor 电流 是 决定 用 这 r
ds(在)
的 这
同步的 场效应晶体管 或者 用 一个 sense 电阻 当 这
用户 opts 为 更多 精确 电流 感觉到. 这 desired
数量 的 波纹 电流 和 运行 频率 largely
确定 这 inductor 值. 最终, c
在
是 选择 为
它的 能力 至 handle 这 大 rms 电流 在 这
转换器 和 c
输出
是 选择 和 低 足够的 等效串联电阻 至
满足 这 输出 电压 波纹 规格.
最大 sense 电压 和 v
RNG
管脚
inductor 电流 是 决定 用 测量 这 电压
横过 这 r
ds(在)
的 这 同步的 场效应晶体管 或者 通过
一个 sense 电阻 那 呈现 在 这 sense
+
和
SENSE
–
管脚. 这 最大 sense 电压 是 设置 用 这
电压 应用 至 这 v
RNG
管脚 和 是 equal 至 approxi-
mately v
RNG
/7. 这 电流 模式 控制 循环 将 不
准许 这 inductor 电流 valleys 至 超过 v
RNG
/(7 •
R
SENSE
). 在 实践, 一个 应当 准许 一些 余裕 为
变化 在 这 ltc3708 和 外部 组件 值.
一个 好的 手册 为 selecting 这 sense 阻抗 是:
R
V
I
SENSE
RNG
输出 最大值
=
10 •
()
这 电压 的 这 v
RNG
管脚 能 是 设置 使用 一个 外部
resistive 分隔物 从 v
CC
在 0.5v 和 2v, 结果
在 名义上的 sense 电压 的 50mv 至 200mv. additionally,
这 v
RNG
管脚 能 是 系 至 地面 或者 v
CC
, 在 这个 情况
这 名义上的 sense 电压 defaults 至 70mv 或者 140mv,
各自. 这 最大 允许 sense 电压 是 关于
1.4 时间 这个 名义上的 值.
连接 这 sense
+
和 sense
–
管脚
这 ltc3708 提供 这 用户 和 一个 optional 方法 至
sense 电流 通过 一个 sense 电阻 instead 的 使用 这
R
ds(在)
的 这 同步的 场效应晶体管. 当 使用 一个 sense
电阻, 它 是 放置 在 这 源 的 这 synchro-
nous 场效应晶体管 和 地面. 至 measure 这 电压 横过
这个 电阻, 连接 这 sense
+
管脚 至 这 源 的 这
同步的 场效应晶体管 和 这 sense
–
管脚 至 这 其它
终止 的 这 电阻. 这 sense
+
和 sense
–
管脚 提供
这 kelvin 连接, ensuring 精确 电压 mea-
surement 横过 这 电阻. 使用 一个 sense 电阻
提供 一个 好-定义 电流 限制, 但是 adds 费用 和
减少 效率. alternatively, 一个 能 使用 这 synchro-
nous 场效应晶体管 作 这 电流 sense 元素 用 simply
连接 这 sense
+
管脚 至 这 转变 node sw 和 这
SENSE
–
管脚 至 这 源 的 这 同步的 场效应晶体管,
eliminating 这 sense 电阻. 这个 改进 效率,
但是 一个 必须 carefully choose 这 场效应晶体管 在-阻抗
作 discussed 在下.
电源 场效应晶体管 选择
各自 输出 平台 的 这 ltc3708 需要 二 外部
n-频道 电源 mosfets, 一个 为 这 顶 (主要的) 转变
和 一个 为 这 bottom (同步的) 转变. 重要的
参数 为 这 电源 mosfets 是 这 损坏
电压 v
(br)dss
, 门槛 电压 v
gs(th)
, 在-resis-
tance r
ds(在)
, 反转 转移 电容 c
RSS
和
最大 电流 i
ds(最大值)
.
这 门 驱动 电压 是 设置 用 这 5v drv
CC
供应.
consequently, 逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是
使用 在 ltc3708 产品. 如果 这 驱动器’s 电压 是
预期的 至 漏出 在下 5v, 然后 sub-逻辑 水平的 门槛
mosfets 应当 是 考虑.
当 这 bottom 场效应晶体管 是 使用 作 这 电流 sense
元素, particular 注意 必须 是 paid 至 它的 在-
阻抗. 场效应晶体管 在-阻抗 是 典型地 指定
和 一个 最大 值 r
ds(在)(最大值)
在 25
°
c. 额外的
余裕 是 必需的 至 accommodate 这 上升 在 场效应晶体管
在-阻抗 和 温度:
R
R
DS 在 最大值
SENSE
T
()( )
=
ρ
这
ρ
T
期 是 一个 normalization 因素 (统一体 在 25
°
c)
accounting 为 这 重大的 变化 在 在-阻抗
和 温度, 典型地 关于 0.4%/
°
c. 为 一个 maxi-
mum 接合面 温度 的 100
°
c, 使用 一个 值
ρ
100
°
C
= 1.3 是 合理的 (看 图示 3).
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