4
LT3470
3470f
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
V
在
安静的 电流
vs 温度
偏差 安静的 电流
(偏差 > 3v) vs 温度
shdn 偏差 电流
vs 温度
fb 偏差 电流 (v
FB
= 1v)
vs 温度
顶 和 bottom 转变 电流
限制 (v
FB
= 0v) vs 温度
温度 (
°
c)
–50
电流 限制 (毫安)
350
25
3470 g04
200
100
–25 0 50
50
0
400
300
250
150
75 100 125
温度 (
°
c)
–50 –25
0
V
在
电流 (
µ
一个)
20
50
0
50
75
3470 g05
10
40
30
25
100
125
偏差 < 3v
偏差 > 3v
温度 (
°
c)
–50
偏差 电流 (
µ
一个)
20
25
30
25 75
3470 g06
15
10
–25 0
50 100 125
5
0
温度 (
°
c)
–50
0
shdn 电流 (
µ
一个)
1
3
4
5
50
9
3470 g07
2
0
–25
75 100
25 125
6
7
8
V
SHDN
= 36v
V
SHDN
= 2.5v
温度 (
°
c)
–50 –25
0
fb 电流 (na)
20
50
0
50
75
3470 g08
10
40
30
25
100
125
fb 偏差 电流 (v
FB
= 0v)
vs 温度
温度 (
°
c)
–50
fb 电流 (
µ
一个)
80
100
120
25 75
3470 g09
60
40
–25 0
50 100 125
20
0
转变 v
CESAT
(i
SW
= 100ma)
vs 温度
boost 二极管 v
F
(i
F
= 50ma)
vs 温度
温度 (
°
c)
–50
转变 v
CESAT
(mv)
200
250
300
25 75
3470 g10
150
100
–25 0
50 100 125
50
0
温度 (
°
c)
–50
肖特基 v
F
(v)
0.7
25
3470 g11
0.4
0.2
–25 0 50
0.1
0
0.8
0.6
0.5
0.3
75 100 125
catch 二极管 v
F
(i
F
= 100ma)
vs 温度
温度 (
°
c)
–50
0.4
0.5
0.7
25 75
3470 g12
0.3
0.2
–25 0
50 100 125
0.1
0
0.6
肖特基 v
F
(v)
: 点此下载
