6
LT1336
sn1336 1336fssn1336 1336fs
典型 perforM一个Nce 特性
U
W
PINFUNCTIONS
UUU
I
SENSE
(管脚 1):
boost 调整器 i
SENSE
比较器 输入.
一个 r
SENSE
放置 在 管脚 1 和 v
+
sets 这 最大
顶峰 电流. 管脚 1 能 是 left 打开 如果 这 boost 调整器
是 不 使用.
SV
+
(管脚 2):
主要的 信号 供应. 必须 是 closely decoupled
至 这 信号 地面 管脚 6.
intop (管脚 3):
顶 驱动器 输入. 管脚 3 是 无能 当 管脚
4 是 高. 一个 3k 输入 电阻 followed 用 一个 5v 内部的
clamp 阻止 饱和 的 这 输入 晶体管.
inbottom (管脚 4):
bottom 驱动器 输入. 管脚 4 是 无能
当 管脚 3 是 高. 一个 3k 输入 电阻 followed 用 一个 5v
内部的 clamp 阻止 饱和 的 这 输入 晶体管.
uvout (管脚 5):
欠压 输出. 打开 集电级 npn
输出 这个 转变 在 当 v
+
drops 在下 这 undervolt-
age 门槛.
sgnd (管脚 6):
小-信号 地面. 必须 是 routed
separately 从 其它 grounds 至 这 系统 地面.
pgnd (管脚 7):
bottom 驱动器 电源 地面. connects 至
源 的 bottom n-频道 场效应晶体管.
bgatefb (管脚 8):
bottom 门 反馈. 必须 连接
直接地 至 这 bottom 电源 场效应晶体管 门. 这 顶
场效应晶体管 转变-在 是 inhibited 直到 管脚 8 有 释放 至
在下 2.5v.
bgatedr (管脚 9):
bottom 门 驱动. 这 高 电流
驱动 要点 为 这 bottom 场效应晶体管. 当 一个 门 电阻
是 使用 它 是 inserted 在 管脚 9 和 这 门 的 这
场效应晶体管.
PV
+
(管脚 10):
bottom 驱动器 供应. 必须 是 连接
至 这 一样 供应 作 管脚 2.
T
源 (管脚 11):
顶 驱动器 返回. connects 至 这 顶
场效应晶体管 源 和 这 低 一侧 的 这 自举 电容.
tgatefb (管脚 12):
顶 门 反馈. 必须 连接
直接地 至 这 顶 电源 场效应晶体管 门. 这 bottom
场效应晶体管 转变-在 是 inhibited 直到 v
tgate fb
– v
TSOURCE
有 释放 至 在下 2.9v.
tgatedr (管脚 13):
顶 门 驱动. 这 高 电流 驱动
要点 为 这 顶 场效应晶体管. 当 一个 门 电阻 是 使用 它
是 inserted 在 管脚 13 和 这 门 的 这 场效应晶体管.
boost (管脚 14):
顶 驱动器 供应. connects 至 这 高
一侧 的 这 自举 电容.
swgnd (管脚 15):
boost 调整器 地面. 必须 是 routed
separately 从 这 其它 grounds 至 这 系统 地面.
管脚 15 能 是 left 打开 如果 这 boost 调整器 是 不 使用.
转变 (管脚 16):
boost 调整器 转变. 连接 这个
管脚 至 这 inductor/二极管 的 这 boost 调整器 网络.
管脚 16 能 是 left 打开 如果 这 boost 调整器 是 不 使用.
V
BOOST
管制 输出
vs 温度
I
SENSE
电压 门槛
vs 温度
温度 (
°
c)
–50
I
SENSE
电压 门槛 (mv)
100
1336 g20
050
0.52
0.50
0.48
0.46
0.44
0.42
0.40
0.38
0.36
–25 25 75 125
高 电压 门槛
低 电压 门槛
V
+
= 12v
V
BOOST
= 68v
V
TSOURCE
= 60v
温度 (
°
c)
–50
V
BOOST
管制 输出 (v)
100
1336 g19
050
12.0
11.5
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
–25 25 75 125
V
BOOST
– v
TSOURCE
V
+
= 12v
V
TSOURCE
= 40v
I
加载
= 10ma
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