lm134 序列
8
典型 applicatio s
U
TA06
V
+
V
–
R
LM334
V
在
R3
100
Ω
R2
300
Ω
R1
15k
R4
4.5k
2N4250
V
输出
= 10mv/
°
K
Z
输出
≤
2
Ω
C1
0.0022
TA07
V
+
V
–
R
LM334
V
在
≥
V
REF
+ 200mv
R2
120
Ω
R1
1.5k
Q1
2N4250
V
输出
= v
Z
+ 64mv 在 25
°
C
I
输出
≤
3mA
C1
0.1
LT1009
V
Z
+
–
TA05
V
+
V
–
R
LM334
V
在
–V
在
R
设置
R1*
C1*
*select r1 和 c1 为 最佳的 稳固
2N2905
TA08
V
+
V
–
R
LM334
V
在
–V
在
R
设置
68k
1
µ
一个
LM4250
V
+
V
–
R
LM134**
C1
0.001
100k
V
在
≥
1.8v
V
输出
= 1.2v
I
输出
≤
200
µ
一个
2N4250
R1
33k
1N457**
R1*
≈
6k
1%
R2*
680
Ω
1%
选择 比率 的 r1 至 r2 为 零 温度 逐渐变化
lm134 和 二极管 应当 是 isothermal
*
**
TA09
TA10
V
+
V
–
R
LM334
V
在
V
输出
R
设置
V
Z
高等级的 输出 电流
低 输出 阻抗 温度计
低 输入 电压 涉及 驱动器
微小功率 偏差
1.2v 调整器 和 1.8v 最小 输入
齐纳 偏置
alternate 修整 技巧
缓存区 为 photoconductive cell
高 精确 低 tc 电流 源
V
–
V
+
R
R1*
LM334
R
设置
TA11
V
在
–V
在
*FOR
±
10% 调整, 选择 r
设置
10% 高 和 制造 r1
≈
3R
设置
V
–
V
+
R
LM334
TA12
1.5v
1.37v
R2
TA13
V
+
V
–
R
LM334
R2*
R1
6.8k
I
设置
≥
50
µ
一个
+
–
lt1004-1.2
(1.235v)
*I
设置
= + 10
µ
一个
I
设置
tc = 0.016%/
°
c + 33na/
°
C
规章制度
≈
0.001%/v
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