6
ltc1326/ltc1326-2.5
rst (管脚 6):
重置 逻辑 输出. 起作用的 低, 打开-流
逻辑 输出 和 弱 拉-向上 至 v
CC3
. 能 是 牵引的 向上
更好 比 v
CC3
当 接合 至 5v 逻辑. asserted
当 一个 或者 更多 的 这 供应 是 在下 trip
门槛 和 使保持 为 200ms 之后 所有 供应 变为
有效的. 也 asserted 之后 pbr 是 使保持 低 为 更多 比
2 秒 和 为 一个 额外的 200ms 之后 pbr 是
released.
srst (管脚 7):
软 重置. 起作用的 低, 打开-流 逻辑
输出 和 弱 拉-向上 至 v
CC3
. 能 是 牵引的 向上
更好 比 v
CC3
当 接合 至 5v 逻辑. asserted
为 100
µ
s 之后 pbr 是 使保持 低 为 较少 比 2 秒
和 released.
pbr (管脚 8):
推-button 重置. 起作用的 低 逻辑 输入
和 弱 拉-向上 至 v
CC3
. 能 是 牵引的 向上 更好 比
V
CC3
当 接合 至 5v 逻辑. 当 asserted 为 较少
比 2 秒, 输出 一个 软 重置 100
µ
s 脉冲波 在 这
srst 管脚. 当 pbr 是 asserted 为 更好 比 2
秒, 这 rst 输出 是 强迫 低 和 仍然是 低
直到 200ms 之后 pbr 是 released.
V
CC3
(管脚 1):
3.3v sense 输入 和 电源 供应 管脚 为
这 ic. 绕过 至 地面 和
≥
0.1
µ
f 陶瓷的 电容.
V
CC5
(管脚 2) (ltc1326):
5v sense 输入. 使用 作 门
驱动 为 这 rst 输出 场效应晶体管 当 这 电压 在 v
CC3
是
较少 比 这 电压 在 v
CC5
. 如果 unused, 它 能 是 系 至
V
CC3
(看 双 和 单独的 供应 监控 运作 在
这 产品 信息 部分).
V
CC25
(管脚 2) (ltc1326-2.5):
2.5v sense 输入. 使用 作
门 驱动 为 rst 输出 场效应晶体管 当 这 电压 在 v
CC3
是 较少 比 这 电压 在 v
CC25
. 如果 unused, 它 能 是 系
至 v
CC3
.
V
CCA
(管脚 3):
1v sense, 高 阻抗 输入. 能 是
使用 作 一个 逻辑 输入 和 一个 1v 门槛. 如果 unused, 它 能
是 系 至 也 v
CC3
或者 v
CC25
.
地 (管脚 4):
地面.
rst (管脚 5):
重置 逻辑 输出. 起作用的 高 cmos 逻辑
输出, 驱动 高 至 v
CC3
, 缓冲 complement 的 rst.
一个 外部 拉-向下 在 这 rst 管脚 将 驱动 这个 管脚
高.
PINFUNCTIONS
UUU