AD8139
rev. 一个 | 页 7 的 24
绝对 最大 比率
表格 3.
参数 比率
供应 电压 12 v
V
OCM
±V
S
电源 消耗 看 图示 3
输入 一般模式 电压 ±V
S
存储 温度 –65°c 至 +125°c
运行 温度 范围 –40°c 至 +125°c
含铅的 温度 范围
(焊接 10 秒)
300°C
接合面 温度 150°C
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 rat-
ing 仅有的; 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 秒-
tion 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响
设备 可靠性.
热的 阻抗
θ
JA
是 指定 为 这 worst-情况 情况, i.e., θ
JA
是 指定
为 设备 焊接 在 电路 板 为 表面-挂载 包装.
表格 4. 热的 阻抗
包装 类型 θ
JA
单位
soic-8 和 ep/4-layer 70 °c/w
lfcsp/4-layer 70 °c/w
最大 电源 消耗
这 最大 safe 电源 消耗 在 这 ad8139 包装 是
限制 用 这 有关联的 上升 在 接合面 温度 (t
J
) 在 这
消逝. 在 大概 150°c, 这个 是 这 glass 转变 tem-
perature, 这 塑料 将 改变 它的 properties. 甚至 temporarily
exceeding 这个 温度 限制 将 改变 这 压力 那 这
包装 exerts 在 这 消逝, permanently shifting 这 参数
效能 的 这 ad8139. exceeding 一个 接合面 温度 的
175°c 为 一个 扩展 时期 的 时间 能 结果 在 改变 在 这
硅 设备 可能地 造成 失败.
这 电源 dissipated 在 这 包装 (p
D
) 是 这 总 的 这
安静的 电源 消耗 和 这 电源 dissipated 在 这
包装 预定的 至 这 加载 驱动 为 所有 输出. 这 安静的
电源 是 这 电压 在 这 供应 管脚 (v
S
) 时间 这
安静的 电流 (i
S
). 这 加载 电流 组成 的 差别的
和 一般模式 电流 流 至 这 加载, 作 好 作
电流 流 通过 这 外部 反馈 网络 和
这 内部的 一般模式 反馈 循环. 这 内部的 电阻
tap 使用 在 这 一般模式 反馈 循环 places 一个 1 kΩ
差别的 加载 在 这 输出. rms 输出 电压 应当 是
考虑 当 dealing 和 交流 信号.
airflow 减少 θ
JA
. also, 更多符合一个ldirectlyin cont一个ct w它h
这 包装 leads 从 metal 查出, 通过 孔, 地面, 和
电源 平面 将 减少 这 θ
JA
.
图示 3 显示 这 最大 safe 电源 消耗 在 这
包装 相比 这 包围的 温度 为 这 exposed paddle
(ep) soic-8 (θ
JA
= 70°c/w) 包装 和 lfcsp (θ
JA
=
70°c/w) 在 一个 电子元件工业联合会 标准 4-layer 板. θ
JA
值 是
approximations.
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120
04679-0-055
包围的 温度 (
°
c)
最大 电源 消耗 (w)
SOIC
和 lfcsp
图示 3. 最大 电源 消耗 vs. 温度 为 一个 4-layer 板
静电释放 提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. electrostatic charges 作 高 作 4000 v readily accumulate 在 这
人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有发现. 虽然 这个产品 特性 proprie-
tary 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 occur 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的
discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是 recommended 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的
符合实际.
: 点此下载
