ds2762 高-精确 li+ 电池 监控 with alerts
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电源 模式
这 ds2762 有 二 电源 模式: 起作用的 和 睡眠. while 在 起作用的 模式, 这 ds2762 continually measures
电流, 电压, 和 温度 至 提供 数据 至 这 host 系统 和 至 支持 电流 accumulation 和 li+
安全 monitoring. 在 睡眠 模式, 这 ds2762 ceases 这些 activities. 这 ds2762 enters 睡眠 模式 当 任何 的
这 下列的 情况 occurs:
这 pmod 位 在 这 状态 寄存器 有 被 设置 至 1 和 这 dq 线条 是 低 为 变长 比 2s (包装
disconnection).
这 电压 在 v
在
drops 在下 欠压 门槛 v
UV
为 t
UVD
(cell depletion).
这 包装 是 无能 通过 这 issuance 的 一个 swap command (swen 位 = 1).
这 ds2762 returns 至 起作用的 模式 当 任何 的 这 下列的 occurs:
这 pmod 位 有 被 设置 至 1 和 这 swen 位 是 设置 至 0 和 这 dq 线条 是 牵引的 高 (包装
连接).
这
PS
管脚 是 牵引的 低 (电源 转变).
这 电压 在 pls 变为 更好 比 这 电压 在 v
在
(charger 连接) 和 这 swen 位 设置 至 0.
这 包装 是 使能 通过 这 issuance 的 一个 swap command (swen 位 = 1).
这 ds2762 defaults 至 起作用的 模式 当 电源 是 第一 应用.
li+ 保护 电路系统
在 起作用的 模式, 这 ds2762 constantly monitors cell 电压 和 电流 至 保护 这 电池 从 overcharge
(超（电）压), overdischarge (欠压), 和 过度的 承担 和 释放 电流 (overcurrent, 短的
电路). 情况 和 ds2762 responses 是 描述 在 这 下列的 sections 和 summarized 在 表格 1 和
图示 3.
表格 1. li+ 保护 情况 和 ds2762 responses
触发
情况
门槛 延迟 回馈
释放 门槛
超（电）压 v
在
> v
OV
t
OVD
CC
高
V
在
< v
CE
, 或者
V
是
≤
-2mv
欠压 v
在
< v
UV
t
UVD
cc, 直流
高,
睡眠 模式
V
PLS
> v
DD
(1)
(charger 连接)
overcurrent, 承担 V
是
> v
OC
(2)
t
OCD
cc, 直流
高
V
PLS
< v
DD
- v
TP
(3)
overcurrent, 释放 V
是
< -v
OC
(2)
t
OCD
直流
高
V
PLS
> v
DD
- v
TP
(4)
短的 电路 V
SNS
> v
SC
t
SCD
直流
高
V
PLS
> v
DD
- v
TP
(4)
V
是
= v
IS1
- v
IS2
. 逻辑 高 = v
PLS
为
CC
和 v
DD
为
直流
.
所有 电压 是 和 遵守 至 v
SS
. i
SNS
references 电流 delivered 从 管脚 sns.
便条 1:
如果 v
DD
< 2.2v, 释放 是 delayed 直到 这 恢复 承担 电流 (i
RC
) passed 从 pls 至 v
DD
charges 这 电池 和 准许 v
DD
至 超过 2.2v.
便条 2:
为 这 内部的 sense 电阻 配置, 这 overcurrent 门槛 是 表示 在 条款 的 电流: i
SNS
> i
OC
为 承担
方向 和 i
SNS
< -i
OC
为 释放 方向.
便条 3:
和 测试 电流 i
TST
流 从 pls 至 v
SS
(pulldown 在 pls).
便条 4:
和 测试 电流 i
TST
流 从 v
DD
至 pls (pullup 在 pls).
超（电）压.
如果 这 cell 电压 在 v
在
超过 这 超（电）压 门槛, v
OV
, 为 一个 时期 变长 比 超（电）压
延迟, t
OVD
, 这 ds2762 shuts 止 这 外部 承担 场效应晶体管 和 sets 这 ov 标记 在 这 保护 寄存器. 当 这
cell 电压 falls 在下 承担 使能 门槛 v
CE
, 这 ds2762 转变 这 承担 场效应晶体管 后面的 在 (除非 另一
保护 情况 阻止 它). discharging 仍然是 使能 在 超（电）压, 和 这 ds2762 re-使能 这
承担 场效应晶体管 在之前 v
在
< v
CE
如果 一个 释放 电流 的 -80ma (v
是
≤
-2mv) 或者 较少 是 发现.
欠压.
如果 这 电压 的 这 cell drops 在下 欠压 门槛, v
UV
, 为 一个 时期 变长 比
欠压 延迟, t
UVD
, 这 ds2762 shuts 止 这 承担 和 释放 fets, sets 这 uv 标记 在 这 保护
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