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资料编号:1108907
 
资料名称:DS276S
 
文件大小: 263K
   
说明
 
介绍:
低功耗、收发器芯片
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds2762 高-精确 li+ 电池 监控 with alerts
10 的 25
寄存器, 和 enters 睡眠 模式. 这 ds2762 提供 一个 电流-限制 (i
RC
) 恢复 承担 path 从 pls 至
V
DD
至 gently 承担 severely depleted cells. 这 恢复 path 是 使能 当 0
V
DD
< 3v (典型值). once v
DD
reaches 3v (典型值), 这 ds2762 returns 至 正常的 运作, awaiting 连接 的 一个 charger 至 转变 在 这 承担
场效应晶体管 和 拉 输出 的 睡眠 模式.
overcurrent, 承担 方向.
这 电压 区别 在 这 is1 管脚 和 这 is2 管脚 (v
= v
IS1
-
V
IS2
) 是 这
filtered 电压 漏出 横过 这 电流-sense 电阻. 如果 v
超过 overcurrent 门槛 v
OC
为 一个 时期 变长
比 overcurrent 延迟 t
OCD
, 这 ds2762 shuts 止 两个都 外部 fets 和 sets 这 coc 标记 在 这 保护
寄存器. 这 承担 电流 path 是 不 re-established 直到 这 电压 在 这 pls 管脚 drops 在下 v
DD
- v
TP
. 这
ds2762 提供 一个 测试 电流 的 值 i
TST
从 pls 至 v
SS
至 拉 pls 向下 至 发现 这 除去 的 这
offending 承担 电流 源.
overcurrent, 释放 方向.
如果 v
是 较少 比 -v
OC
为 一个 时期 变长 比 t
OCD
, 这 ds2762 shuts 止 这
外部 释放 场效应晶体管 和 sets 这 doc 标记 在 这 保护 寄存器. 这 释放 电流 path 是 不 re-
established 直到 这 电压 在 pls rises 在之上 v
DD
- v
TP
. 这 ds2762 提供 一个 测试 电流 的 值 i
TST
V
DD
至 pls 至 拉 pls 向上 至 发现 这 除去 的 这 offending 低-阻抗 加载.
短的 电路.
如果 这 电压 在 这 sns 管脚 和 遵守 至 v
SS
超过 短的-电路 门槛 v
SC
为 一个 时期
变长 比 短的-电路 延迟 t
SCD
, 这 ds2762 shuts 止 这 外部 释放 场效应晶体管 和 sets 这 doc 标记 在 这
保护 寄存器. 这 释放 电流 path 是 不 re-established 直到 这 电压 在 pls rises 在之上 v
DD
- v
TP
.
这 ds2762 提供 一个 测试 电流 的 值 i
TST
从 v
DD
至 pls 至 拉 pls 向上 至 发现 这 除去 的 这 短的
电路.
图示 3. li+ 保护 电路系统 例子 波形
summary.
所有 的 这 保护 情况 描述 在之上 是 ored 一起 至 影响 这
CC
直流
输出.
直流
= (欠压) 或者 (overcurrent, 也 方向) 或者 (短的 circuit) 或者 (protection 寄存器 位 de = 0)
或者 (睡眠 模式)
CC
= (超(电)压) 或者 (欠压) 或者 (overcurrent, 承担 方向) 或者 (protection 寄存器 位 ce = 0)
或者 (睡眠 模式)
睡眠
模式
V
OV
V
CE
V
UV
V
CELL
V
承担
释放
CC
直流
-v
SC
V
OC
-v
OC
0
t
SCD
t
OCD
t
OCD
t
UVD
t
OVD
V
PLS
V
DD
起作用的
V
SS
V
SS
INACTIVE
t
OVD
(便条 1)
便条 1:
至 准许 这 设备 至 react quickly 至 短的 电路, 发现 occurs 在 这 sns 管脚 相当 比 在 这
filtered i
S1 和 iS2 管脚S. 这 一个CTUALSHOrt-CIRCU它 deteCTCONDITIOn iSV
SNS
> v
SC
.
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