DS2751
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表格 3. 记忆 mAP
地址 (十六进制) 描述 读/写
00 保留
01 状态 寄存器 R
02 至 06 保留
07 可擦可编程只读存储器 寄存器 r/w
08 特定的 特性 寄存器 r/w
09 至 0b 保留
0C 电压 寄存器 msb R
0d 电压 寄存器 lsb R
0E 电流 寄存器 msb R
0f 电流 寄存器 lsb R
10 accumulated 电流 寄存器 msb r/w
11 accumulated 电流 寄存器 lsb r/w
12 至 17 保留
18 温度 寄存器 msb R
19 温度 寄存器 lsb R
1a 至 1f 保留
20 至 2f 可擦可编程只读存储器, 块 0 r/w*
30 至 3f 可擦可编程只读存储器, 块 1 r/w*
40 至 7f 保留
80 至 8f SRAM r/w
90 至 ff 保留
*
各自 可擦可编程只读存储器 块 是 读/写直到 锁 用 这 锁 command,之后 这个 它 是 读-仅有的.
状态 寄存器
这 default 值 为 这 状态 寄存器 位 是贮存 在 lockable 可擦可编程只读存储器 在 这 相应的 位
的 地址 31h. 一个 recall 数据 command为 可擦可编程只读存储器 块 1 recalls 这 default 值 在 这 状态
寄存器 位. 这 format 的 这 状态 寄存器 是 显示 在 图示 8. 这 函数 的 各自 位 是 描述
在 detail 在 这 下列的 paragraphs.
图示 8. 状态 寄存器 format
地址 01
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
x x pmod rnaop uven x x x
PMOD
—sleep 模式 使能. 一个 值 的 1 在 这个 位 使能 这 ds2751 至 enter 睡眠 模式 当 这
dq 线条 变得 低 为 更好 比 t
睡眠
. 一个 值 的 0 使不能运转 这 ds2751从 进去 这 睡眠 模式.
这个 位 是 读-仅有的. 这 desired default 值 should 是 设置 在 位 5 的 地址ess 31h. 这 工厂 default
是 0.
RNAOP
—read 网 地址 opcode. 一个 值 的 0 在 这个位 sets 这 opcode 为 这 读 网 地址
command 至 33h, 当 一个 1 sets 这 opcode 至 39h. 这个位 是 读-仅有的. 这 desired default 值 应当
是 设置 在 位 4 的 地址31h. 这 工厂 default 是 0.
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