DS1669
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ds1669 双 pushbutton 配置 (典型 应用)
图示 2b
这 ds1669 是 提供 和 二 供应 输入 -v和 +v. 这 最大 电压 区别 在
这 二 供应 输入 是 +8.0 伏特. 这 最小 电压区别 是 +4.5 伏特. 所有 输入 水平 是
关联 至 这 负的 供应 输入, -v. 这 电压应用 至 任何 dallastat 终端 必须 不 超过
这 负的 供应 电压 (-v ) 用 -0.5 或者 这 积极的 供应 电压 (+v) 用 +0.5 volts. 这 最小
逻辑 高 水平的 必须 是 +2.4 伏特 和 涉及 至 这 -v 供应 电压 输入 为 +v=5v. 一个 逻辑 低
水平的 和 涉及 至 这 -v 供应 电压 有一个 最大 值 的 +0.8 伏特. dallastats 展览 一个
典型 wiper 阻抗 的 400 ohms 和 一个 最大值imum wiper 阻抗 的 1000 ohms. 这 最大
wiper 电流 允许 通过 这 dallastat 是 指定 在 1 milliamps (看 直流 电的
特性).
nonvolatile wiper settings
dallastats 维持 这 位置 的 这 wiper 在 这 absence 的 电源. 这个 特性 是 提供 通过 这
使用 的 可擦可编程只读存储器 类型 记忆 cell arrays. 在 正常的 运作 这 位置 的 这 wiper 是
决定 用 这 输入 多路调制器. periodically, 这 多路调制器 将 update 这 可擦可编程只读存储器 记忆
cells. 这 manner 在 这个 一个 更新 occurs 有 被 优化 为 可靠性, durability, 和
效能. additionally, 这 更新 运作 是 totally transparent 至 这 用户.
当 电源 是 应用 至 这 dallastat, 这 wiper 设置 将 是 这 last recorded 在 这 可擦可编程只读存储器
记忆 cells. 如果 这 dallastat 设置 是 changed 之后 电源 是 应用, 这 新 值 将 是 贮存 之后
一个 延迟 的 2 秒. 这 最初的 存储 的 一个 新 value 之后 电源-向上 occurs 当 这 第一 改变 是
制造, regardless 的 当这个 改变 是 制造.
之后 这 最初的 改变 在 电源-向上,subsequent 改变 在 这 dallastat 可擦可编程只读存储器 记忆 cells 将
出现 仅有的 如果 这 wiper 位置 的 这 部分 是 moved更好 比 12.5% 的 这 总的 阻抗 范围. 任何
wiper movement 之后 最初的 power-向上 这个 是 较少 比 12.5% 将不 是 recorded 在 这 可擦可编程只读存储器
记忆 cells. 自从 这 dallastat 包含 一个 64-至-1 多路调制器, 一个 改变 的 更好 比 12.5%
corresponds 至 一个 改变 的 这 fourth lsb.
改变 或者 存储 至 这 可擦可编程只读存储器 记忆 cells must 准许 为 一个 2-第二 延迟 至 保证 那
updates 将 出现. 这 可擦可编程只读存储器 记忆 cells 是 specified 至 接受 更好 比 80,000 写 在之前
一个 wear-输出 情况. 如果 这 可擦可编程只读存储器 记忆 cells 做reach 一个 wear-输出 情况, 这 dallastat 将 安静的
函数 合适的 当 电源 是 应用. 不管怎样, 在 电源-向上 这 设备的 wiper 位置 将 是 那
的 这 位置 last recorded 在之前 记忆 cell wear-输出.
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