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s2a-s2m, rev.
C
s2a-s2m

2001 仙童 半导体 公司
典型 特性
一般 目的 整流器 (glass 钝化的)
(持续)
1251020 50100
0
10
20
30
40
50
号码 的 循环 在 60hz
顶峰 向前 surge 电流, i
FSM
[A]
0.40.60.811.21.41.6
0.01
0.1
1
10
向前 电压, v
F
[V]
向前 电流, i
F
[A]
脉冲波 宽度 = 300
µ
µµ
µ
s
2% 职责 循环
t   = 25  c
º
一个
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
1
2
5
10
20
50
100
反转 电压, v
R
[V]
总的 电容, c
T
[pF]
0 20406080100120140
0.01
0.1
1
10
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 [%]
反转 电流, i
R
[mA]
t   = 25  c
º
一个
t   = 100  c
º
一个
t   = 125  c
º
一个
0 25 50 75 100 125 150 175
0
0.5
1
1.5
2
包围的 温度 [ºc]
平均 调整的 向前 电流, i
F
[A]
resistive 或者
inductive 加载
p.c.b. moUNTED
8.0 x 8.0 mm
铜 垫子 areas
图示 1. 向前 电流 减额 曲线                    图示 2. 非-repetitive surge 电流
图示 3. 向前 电压 特性           图示 4. 反转 电流 vs 反转 电压
图示 5. 总的 电容

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s2a-s2m, rev. C s2a-s2m  2001 仙童半导体公司典型特性一般目的整流器 (glass 钝化的) (持续) 1251020 50100 0 10 20 30 40 50 号码的循环在 60hz 顶峰向前 surge 电流, i FSM [A] 0.40.60.811.21.41.6 0.01 0.1 1 10 向前电压, v F [V] 向前电流, i F [A] 脉冲波宽度 = 300 µ µµ µ s 2% 职责循环 t = 25 c º 一个 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 1 2 5 10 20 50 100 反转电压, v R [V] 总的电容, c T [pF] 0 20406080100120140 0.01 0.1 1 10 百分比的评估顶峰反转电压 [%] 反转电流, i R [mA] t = 25 c º 一个 t = 100 c º 一个 t = 125 c º 一个 0 25 50 75 100 125 150 175 0 0.5 1 1.5 2 包围的温度 [ºc] 平均调整的向前电流, i F [A] resistive 或者 inductive 加载 p.c.b. moUNTED 8.0 x 8.0 mm 铜垫子 areas 图示 1. 向前电流减额曲线图示 2. 非-repetitive surge 电流图示 3. 向前电压特性图示 4. 反转电流 vs 反转电压图示 5. 总的电容

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