ADP3330
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rev. 一个
应用 信息
电容 选择
输出 电容: 作 和 任何 微小功率 设备, 输出
瞬时 回馈 是 一个 函数 的 这 输出 电容. 这
adp3330 是 稳固的 和 一个 宽 范围 的 电容 值, 类型
和 等效串联电阻 (anycap). 一个 电容 作 低 作 0.47
µ
f 是 所有 那 是
需要 为 稳固; 大 电容 能 是 使用 如果 高 输出
电流 surges 是 预期. 这 adp3330 是 稳固的 和
极其 低 等效串联电阻 电容 (等效串联电阻
≈
0), 此类 作 multilayer
陶瓷的 电容 (mlcc) 或者 oscon. 便条 那 这
有效的 电容 的 一些 电容 类型 将 下降 在下 这
最小 在 cold 温度. 确保 那 这 电容
提供 更多 比 0.47
µ
f 在 最小 温度.
输入 绕过 电容: 一个 输入 绕过 电容 是 不 strictly
必需的 但是 它 是 明智 在 任何 应用 involving 长
输入 线 或者 高 源 阻抗. 连接 一个 0.47
µ
F
电容 从 在 至 地面 减少 这 电路’s 敏锐的 至
pc 板 布局. 如果 一个 大 值 输出 电容 是 使用, 然后
一个 大 值 输入 电容 是 也 推荐.
噪音 减少
一个 噪音 减少 电容 (c
NR
) 能 是 使用 至 更远 减少
这 噪音 用 6 db–10 db (图示 21). 低 泄漏 电容 在
10 pf–500 pf 范围 提供 这 最好的 效能. 自从 这
噪音 减少 管脚 (nr) 是 内部 连接 至 一个 高 imped-
ance node, 任何 连接 至 这个 node 应当 是 carefully 完毕
至 避免 噪音 pickup 从 外部 来源. 这 垫子 连接
至 这个 管脚 应当 是 作 小 作 可能 和 长 pc 板
查出 是 不 推荐.
当 adding 一个 噪音 减少 电容, 使用 这 下列的
指导原则:
• 维持 一个 最小 加载 电流 的 1 毫安 当 不 在
关闭.
• 为 cnr 值 更好 比 500 pf, 增加 一个 100 k
Ω
序列
电阻 (rnr).
它 是 重要的 至 便条 那 作 cnr 增加, 这 转变-在 时间
将 是 delayed. 和 cnr 值 更好 比 1 nf, 这个 延迟
将 是 在 这 顺序 的 一些 milliseconds.
+
–
V
在
+
C1
0.47
F
在
–
adp3330-3
SD
地
V
输出
= +3.3v
输出
330k
C2
0.47
F
R1
CNR
NR
ERR
RNR
图示 21.␣ 噪音 减少 电路
碎片-在-含铅的 包装
这 adp3330 使用 一个 专利的 碎片-在-含铅的 包装 设计 至
确保 这 最好的 热的 效能 在 一个 sot-23 footprint. 在
一个 标准 sot-23, 这 majority 的 这 热温 flows 输出 的 这
地面 管脚. 这个 新 包装 使用 一个 用电气 分开的 消逝
连结 那 准许 所有 管脚 至contribute 至 热温 conduction.
这个 技巧 减少 这 热的 阻抗 至 190
°
c/w 在 一个
2-layer 板 作 对照的 至 >230
°
c/w 为 一个 标准 sot-23
引线框架. 图示 22 显示 这 区别 在 这 标准
sot-23 和 这 碎片-在-含铅的 leadframes.
硅
消逝
一个. 正常的 sot-23-6 包装
硅 消逝 和
用电气
分开的
消逝 连结
b. thermally 增强 碎片-在-含铅的 包装
图示 22.
热的 超载 保护
这 adp3330 是 保护 相反 损坏 预定的 至 过度的
电源 消耗 用 它的 热的 超载 保护 电路
这个 限制 这 消逝 温度 至 一个 最大 的 +165
°
c.
下面 extreme 情况 (i.e., 高 包围的 温度 和
电源 消耗) 在哪里 消逝 温度 开始 至 上升 在之上
+165
°
c, 这 输出 电流 是 减少 直到 这 消逝 温度
有 dropped 至 一个 safe 水平的. 这 输出 电流 是 restored 当
这 消逝 温度 是 减少.
电流 和 热的 限制 protections 是 将 至 保护
这 设备 相反 意外的 超载 情况. 为 正常的
运作, 设备 电源 消耗 应当 是 externally 限制
所以 那 接合面 温度 将 不 超过 +125
°
c.
calculating 接合面 温度
设备 电源 消耗 是 计算 作 跟随:
P
D
=
(
V
在
– v
输出
)
I
加载
+(
V
在
)
I
地
在哪里
I
加载
和
I
地
是 加载 电流 和 地面 电流,
V
在
和
V
输出
是 输入 和 输出 电压 各自.
假设
I
加载
= 200 毫安,
I
地
= 4 毫安,
V
在
= 4.2 v 和
V
输出
= 3.0 v, 设备 电源 消耗 是:
P
D
=
(4.2
–
3)
200
毫安 +
4.2
(4
毫安
)
= 257
mW
这 专卖的 包装 使用 在 这 adp3330 有 一个 热的
阻抗 的 165
°
c/w, significantly 更小的 比 一个 标准
6-含铅的 sot-23 包装. 假设 一个 4-layer board, 这 接合面
温度 上升 在之上 包围的 温度 将 是 approxi-
mately equal 至:
∆
T
J
一个
= 0.257
W
×
165
°
c/w
= 42.4
°
C
至 限制 这 最大 接合面 温度 至 +125
°
c,
最大 容许的 包围的 温度 将 是:
T
一个 最大值
= 125
°
C
– 42.4
°
C
= 82.6
°
C
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