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资料编号:1114010
 
资料名称:STTH12002TV
 
文件大小: 132K
   
说明
 
介绍:
HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE
 
 


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STTH12004TV1
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图示 7: 反转 恢复 softness 因素
相比 di
F
/dt (典型 值, 每 二极管)
图示 8: 相关的 变化 的 动态
参数 相比 接合面 温度
图示 9: 瞬时 顶峰 向前 电压
相比 di
F
/dt (典型 值, 每 二极管)
图示 10: 向前 恢复 时间 相比 di
F
/dt
(典型 值, 每 二极管)
图示 11: 接合面 电容 相比
反转 电压 应用 (典型 值, 每
二极管)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
S
FACTOR
I
F
< 2 x i
f(av)
V
R
=200V
T
j
=125°C
dI
F
/dt(一个/µs)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25 50 75 100 125
I
RM
&放大; t
RR
S
因素
I
F
=I
f(av)
V
R
=200V
涉及: T
j
=125°C
Q
RR
T
j
(°c)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
Fp
(v)
I
F
=I
f(av)
T
j
=125°C
dI
F
/dt(一个/µs)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
t
(ns)
I
F
=I
f(av)
V
FR
=1.1 x V
F
最大值
T
j
=125°C
dI
F
/dt(一个/µs)
fr
100
1000
1 10 100 1000
c(pf)
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(v)
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