jiangsu changjiang electronics 技术 co., 有限公司
至-92 塑料-encapsulate 晶体管
M8050
晶体管 (npn)
特性
电源 消耗
P
CM
: 625 m w(tamb=25
℃
)
最大 ratings* t
一个
=25
℃
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 40 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 25 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 -持续的 800 毫安
T
J
, t
stg
接合面 和 存储 温度 -55-150
℃
*these 比率 是 限制的 值在之上 这个 这 serviceability 的任何 半导体 设备 将 是
impaired.
电的 特性(tamb=25
℃
除非 否则 指定)
参数
标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压
v(br)
CBO
ic= 100µa , I
E
=0 40 V
集电级-发射级 损坏 电压
v(br)
CEO
*I
C
= 0.1ma , I
B
=0 25 V
发射级-根基 损坏 电压
v(br)
EBO
I
E
= 100µa , I
C
=0 6 V
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
= 35v , I
E
=0 0.1 µa
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
= 20v , I
B
=0 0.1 µa
h
fe(1)
V
CE
=1v, i
C
=5mA 45
h
fe(2)
V
CE
=1v, i
C
=100mA 80 400
直流 电流 增益
h
FE
（
3
）
V
CE
=1v, i
C
=800mA 40
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 800ma, i
B
=80mA 0.5 V
根基-发射级 饱和 电压
V
是(sat)
I
C
=800ma, i
B
= 80ma 1.2 V
转变 频率
f
T
V
CE
=6v, i
C
= 20ma , f=30mhz
150 mhz
* 脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s , 职责 循环
≤
2%.
分类 的 h
fe(2)
分级 b
c d d3
范围
80-160 120-200 160-300 300-400
1
2
3
至-92
1.发射级
2. 根基
3. 集电级
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