首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1116166
 
资料名称:TPS65012
 
文件大小: 1254K
   
说明
 
介绍:
采用 QFN-48 封装的多通道 1 节锂离子电源管理 IC:USB/AC 充电器、2DC/DC、2 LDO、I2C 接口
 
 


: 点此下载
  浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号TPS65012的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.德州仪器.com
RECOMMENDEDOPERATINGCONDITIONS
ELECTRICALCHARACTERISTICS
TPS65012
SLVS504A–MARCH2004–REVISEDJANUARY2005
MINNOMMAXUNIT
V
(交流)
supplyvoltagefromacadapter4.55.5v
V
(usb)
supplyvoltagefromusb4.45.25v
V
i(主要的)
,v
i(核心),
V
CC
inputvoltagerangestep-downconverters2.56.0v
outputvoltagerangeformainstep-向下
V
o(主要的)
2.53.3v
convertor
V
i(ldo1)
,v
i(ldo2)
inputvoltagerangeforldos1.86.5v
T
一个
operatingambienttemperaturerange-4085
°
C
T
J
operatingjunctiontemperaturerange-40125
°
C
V
i(主要的)
=V
i(核心)
=V
CC
=V
i(ldo1)
=V
i(ldo2)
=3.6v,t
一个
=-40
°
Cto85
°
c,typicalvaluesareatt
一个
=25
°
Cbatterycharger
specificationsarevalidintherange0
°
c<t
一个
<85
°
Cunlessotherwisenoted
PARAMETERTESTCONDITIONSMINTYPMAXUNIT
controlsignals:低_pwr,sclk,sdat(输入)
V
IH
HighlevelinputvoltageI
IH
=20µA
(1)
2V
CC
V
V
IL
LowlevelinputvoltageI
IL
=10µa00.8v
I
IB
inputbiascurrent0.011.0µa
controlsignals:铅_onoff,hot_重置,batt_覆盖
V
IH
HighlevelinputvoltageI
IH
=20µA
(1)
0.8v
CC
6V
V
IL
LowlevelinputvoltageI
IL
=10µa00.4v
R
(铅_onoff)
pulldownresistoratpb_onoff1000k
R
(hot_重置)
pullupresistorathot_重置,1000k
connectedtoVCC
R
(batt_覆盖)
pulldownresistoratbatt_cover2000k
t
(glitch)
de-glitchtimeatall3pins385677ms
Delayaftert
(glitch)
(pwrfailgoeslow)
t
(batt_覆盖)
beforesuppliesaredisabledwhen1.682.43.2ms
batt_covergoeslow.
controlsignals:mpu_重置,pwrfail,respwron,int,sdat(输出)
V
OH
Highleveloutputvoltage6V
V
OL
LowleveloutputvoltageI
IL
=10ma00.3v
t
d(mpu_nreset)
durationoflowpulseatmpu_reset100µs
t
d(nrespwron)
durationoflowpulseatrespwronchgconfig<7>=0(default)80010001200
ms
afterVLDO1isinregulation
chgconfig<7>=1496989
TimebetweenUVLOgoingactive
t
d(uvlo)
(pwrfailgoinglow)andsuppliesbeing1.682.43.2ms
无能
timebetweenchipover-温度
t
d(overtemp)
conditionbeingrecognized(pwrfail1.682.43.2ms
goinglow)andsuppliesbeingdisabled
supplypin:vcc
V
I
=3.6v,currentintomain+core+
I
(q)
Operatingquiescentcurrent58µA
V
CC
V
I
=3.6v,batt_覆盖=地,
I
o(sd)
Shutdownsupplycurrent1525µA
CurrentintoMain+Core+V
CC
vmainstep-downconverter
V
I
inputvoltagerange2.56.0v
I
O
Maximumoutputcurrent1000mA
I
o(sd)
shutdownsupplycurrentbatt_覆盖=gnd0.11µa
r
ds(在)
p-channelmosfeton-resistancev
i(主要的)
=V
GS
=3.6v110210m
I
lkg(p)
p-channelleakagecurrentv
(ds)
=6.0v1µa
(1)iftheinputvoltageishigherthanv
CC
,anadditionalinputcurrent,limitedbyaninternal10-k
resister,flows.
3
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com