tps54611,TPS54612
tps54613, tps54614
tps54615, tps54616
SLVS400C
−
8月 2001
−
修订 april 2005
www.德州仪器.com
2
这些设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
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AGND
VSENSE
NC
PWRGD
激励
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
RT
FSEL
ss/ena
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
PGND
PGND
PGND
PGND
PGND
pwp pACKAGE
(顶 视图)
热的
PAD
有 选项
输出
packaged 设备
输出
packaged 设备
T
一个
输出
电压
塑料 htssop
(pwp
)(1)(2)
T
一个
输出
电压
塑料 htssop
(pwp
)(1)(2)
0.9 v TPS54611PWP 1.8 v TPS54614PWP
−
40
°
c 至 85
°
C
1.2 v TPS54612PWP
−
40
°
c 至 85
°
C
2.5 v TPS54615PWP
40 c 至 85 C
1.5 v TPS54613PWP
40 c 至 85 C
3.3 v TPS54616PWP
(1)
为 这 大多数 电流 包装 和 订货 信息, 看 这 包装 选项 补遗 在 这 终止 的 这个 文档, 或者 看 这 德州仪器
网站 在www.德州仪器.com.
(2)
这 pwp 包装 是 也 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 一个r 后缀 至这 设备 类型 (i.e., tps54616pwpr). 看 这 应用 部分
的 这个 数据 薄板 为 powerpad 绘画 和 布局 信息.
终端功能
终端
描述
名字 非.
描述
AGND 1 相似物地面. 返回 为 慢-开始 电容, vbias 电容, rt 电阻 fsel. 制造 powerpad 连接 至 agnd.
激励 5 自举 输入. 0.022-
µ
f 至 0.1-
µ
f 低-等效串联电阻 电容 连接 从 激励 至 ph 发生 floating 驱动 为 这
高-设置场效应晶体管 驱动器.
NC 3 非 连接
PGND 15
−
19 电源地面. 高 电流 返回 为 这 低-一侧 驱动器 和 电源 场效应晶体管. 连接 pgnd 和 大 铜 areas 至
这 输入 和 输出 供应 returns, 和 负的 terminals 的 这 输入 和 输出 电容.
PH 6
−
14 阶段 输入/输出. 接合面 的 这 内部的 高-一侧 和 低-一侧 电源 mosfets, 和 输出 inductor.
PWRGD 4 电源好的 打开 流 输出. 高-z 当 vsense
≥
90% v
ref
, 否则 pwrgd 是 低.便条 那 输出 是 低 当
ss/ena是 低 或者 内部的 关闭 信号 起作用的.
RT 28 频率 设置 电阻 输入. 连接 一个 电阻 从 rt 至 agnd 至 设置 这 切换 频率.
ss/ena 26 慢-开始/使能 输入/输出. 双 函数 管脚 这个 提供 逻辑 输入 至 使能/使不能运转 设备 运作 和
电容输入 至 externally 设置 这 开始-向上 时间.
FSEL 27 频率 选择 输入. 提供 逻辑 输入 至 选择 在 二 内部 设置 切换 发生率.
VBIAS 25 内部的 偏差 调整器 输出. 供应 管制 电压 至 内部的 电路系统. 绕过 vbias 管脚 至 agnd 管脚 和 一个 高
质量,低-等效串联电阻 0.1-
µ
f 至 1-
µ
f 陶瓷的 电容.
VIN
20
−
24 输入 供应 为 这 电源 场效应晶体管 switches 和 内部的 偏差 调整器. 绕过 vin 管脚 至 pgnd 管脚 关闭 至 设备
包装 和 一个 高 质量, 低-等效串联电阻 1-
µ
f 至 10-
µ
f 陶瓷的 电容.
VSENSE 2 错误 放大器 反相的 输入. 连接 直接地 至 输出 电压 sense 要点.
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