tps54311,TPS54312
tps54313, tps54314
tps54315, tps54316
SLVS416B
−
二月 2002
−
修订 april 2005
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2
这些设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
订货 信息
T
一个
输出
电压
PACKAGED设备
塑料 htssop
(pwp)
(1)(2)
T
一个
输出
电压
packaged 设备
塑料 htssop
(pwp)
(1)(2)
0.9 v TPS54311PWP 1.8 v TPS54314PWP
−
40
°
c 至 85
°
C
1.2 v TPS54312PWP
−
40
°
c 至 85
°
C
2.5 v TPS54315PWP
40 c 至 85 C
1.5 v TPS54313PWP
40 c 至 85 C
3.3 v TPS54316PWP
(1)
为 这 大多数 电流 包装 和 订货 信息, 看 这 包装 选项 补遗 在 这 终止 的 这个 文档, 或者 看 这德州仪器 网站
在 www.德州仪器.com.
(2))
这 pwp 包装 是 也 有 带子系紧 和 卷盘.增加 一个 r 后缀 至 这 设备 类型 (i.e., tps54316pwpr). 看 应用 section 的 数据
薄板为 powerpad绘画 和 布局 信息.
绝对 最大 比率
在运行 自由-空气 温度 范围 除非 否则 指出
(1)
TPS54310
vin, ss/ena, 同步
−
0.3 v 至 7 v
输入 电压 范围 V
RT
−
0.3 v 至 6 v
输入 电压 范围, v
I
VSENSE
−
0.3 v 至 4 v
激励
−
0.3 v 至 17 v
输出 电压 范围 V
vbias, pwrgd, 竞赛
−
0.3 v 至 7 v
输出 电压 范围, v
O
PH
−
0.6 v 至 10 v
源 电流 I
PH 内部 限制
源 电流, i
O
竞赛, vbias 6 毫安
PH 6 一个
下沉 电流
竞赛 6 毫安
下沉 电流
ss/ena,pwrgd 10 毫安
电压 differential agnd 至 pgnd
±
0.3 v
运行 模拟的 接合面 温度 范围, t
J
−
40
°
c 至 125
°
C
存储 温度, t
stg
−
65
°
c 至 150
°
C
含铅的 温度 1,6 mm (1/16 inch) 从 情况 为 10 秒 300
°
C
(1)
压力在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 一个nd
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何其它 情况 在之外 那些 表明 下面“recommended 运行 conditions” 是 不
暗指.暴露 至 绝对-最大-评估 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
推荐 运行 情况
最小值 NOM 最大值 单位
输入电压 范围, v
I
3 6 V
运行 接合面 温度, t
J
−
40 125
°
C
包装 消耗 比率
(1)
(2)
包装
热的阻抗
接合面-至-包围的
T
一个
=
25
°
C
电源 比率
T
一个
= 70
°
C
电源 比率
T
一个
= 85
°
C
电源 比率
20-管脚 pwp 和 焊盘 26.0
°
c/w 3.85 w
(3)
2.12 w 1.54 w
20-管脚 pwp 没有 焊盘 57.5
°
c/w 1.73 w 0.96 w 0.69 w
(1)
为 更多 信息 在 这 pwp 包装, 谈及 至 德州仪器 技术的 brief (slma002).
(2)
测试 板 情况:
1. 3”
×
3”, 2 layers, 厚度: 0.062”
2. 1.5 oz 铜 查出 located 在 这 顶 的 这 pcb
3. 1.5 oz 铜 地面 平面 在 这 bottom 的 这 pcb
4. ten 热的 vias (看 推荐 地带 模式 在 应用 部分 的 这个 数据 薄板)
(3)
最大 电源 消耗 将 是 限制 用 overcurrent 保护.
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