slus564b −july 2003 − 修订 12月 2003
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电的 特性 (持续)
T
一个
= −40
°
c 至 85
°
c, 4.5 v < v
在
< 20 v, c
VIN
= 0.1
µ
f,C
VREG5
= 2.2
µ
f,C
ref_x
= 0.01
µ
f, pgood = 0.2 v, enblx = ddr= vin,
invx = compx, rsstrtx = 打开, trip1 = trip2= vin, llx = 地, vbstx = llx+5, c
(outx_u,
outx_d)
=1 nf, reg5_在 = 0v, 地 =
outgndx = 0 v, vo1_vddq = vo2 = 0 v (除非 否则 陈述)
参数 UNITMAXTYPMIN测试 情况
ref_x 涉及 电压
V
REF10
10-v 涉及 电压 V
在
= 14 v, I
输出
= 0 一个 8.5 10.0 11.0 V
V
LD10
加载 规章制度 0 毫安
≤
I
输出
≤
2 毫安, V
在
= 18 v -12% -20%
V
LN10
线条 规章制度 I
输出
= 100
µ
一个, 14 v
≤
V
在
≤
28 v 5%
V
REFVTT
vtt 涉及 电压
DDR= 0 v wrt vo1_vddq 输入 分隔 用 2
V
VO1
= 2.5 v
1.5%
V
REFVTT
vtt 涉及 加载 规章制度 0 毫安
≤
I
O
≤
3 毫安 0.75%
powergood comparators
V
thdual(pg)
pgood 门槛 (双 模式)
欠压 pgood 765 786 808
mVV
thdual(pg
)
pgood 门槛 (双 模式)
超（电）压 pgood
892 920 945
mV
V
thddr(pg)
pgood 门槛 (ddr)
欠压 pgood,
vo1_vddq = 2.5 v
1.12 1.14 1.16
V
V
thddr(pg
)
pgood 门槛 (ddr)
超（电）压 pgood,
vo1_vddq = 2.5 v
1.28 1.31 1.33
V
T
pg(del)
pgood 延迟 时间
invx > 欠压 pgood,
延迟 时间 从 sstrtx > 1.5 v 至 pgood
going 高
2048 clks
数字的 控制 输入
V
IH
高-水平的 输入 电压, 逻辑 DDR, enbl1, enbl2, skip 2.2
V
V
IL
低-水平的 输入 电压, 逻辑 DDR, enbl1, enbl2, skip 0.3
V
I
INLEAK
逻辑 输入 泄漏 电流 DDR, enbl1, enbl2, skip= 5 v |1.0|
µ
一个
vo1_vddq 和 vo2
R
VOUT
vox 下沉 阻抗 V
VOUTx
= 0.5 v, 故障 engaged 6 10
Ω
V
VOUTOK
vox 低 重新开始 电压 故障 情况 移除, 重新开始 0.25 0.32 0.40 V
V
VO2LEAK
vox 输入 泄漏 电流 DDR= vin, vox = 5 v |1.0|
µ
一个
R
VOUT
vo1_vddq 输入 阻抗 DDR= 0 1.5 M
Ω
欠压 和 超（电）压 保护
V
OVPDUAL
ovp trip 输出 门槛 (双) sensed 在 invx 945 970 1010 mV
V
OVPDDR
ovp trip 输出 门槛 (ddr) vo1_vddq = 2.5 v 1.31 1.36 1.41 V
T
ovp(del)
ovp 传播 延迟 时间
(1)
20
µ
s
V
UVPDUAL
uvp trip 输出 门槛 (双) sensed 在 invx 510 553 595
mV
V
UVPDDR
uvp trip 输出 门槛 (ddr) vo1_vddq = 2.5 v 750 813 875
mV
T
uvp(del)
uvp 传播 延迟 时间 4096 clks
overcurrent 和 输入 电压 uvlo 保护
I
TRIPSNK
tripx 下沉 电流 V
TRIPx
= v
在
− 100 mv, T
一个
= 25
°
C 11 13 15
一个
I
TRIPSRC
tripx 源 电流 V
TRIPx
= 100 mv, T
一个
= 25
°
C 10 13 16
µ
一个
TC
ITRIP
trip 电流 温度 coeficient
(1)
T
一个
= 25
°
C 4200
ppm/
°
C
V
OCPHI
高-水平的 ocp 比较器 补偿 电压
(1)
0 |3.0|
mV
V
OCPLO
低-水平的 ocp 比较器 补偿 电压
(1)
0 |5.0|
mV
V
VINUVLO
vin uvlo trip 门槛 ref5v_在 = 4.8 v 3.7 3.9 4.1 V
V
VINHYS
vin uvlo trip hysteresis 100 200 300 mV
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