数据 薄板
2 mbit / 4 mbitspi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
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©2006 硅 存储 技术, 公司 s71231-06-000 1/06
写-使能 (wren)
这 写-使能 (wren) 操作指南 sets 这 写-
使能-获得 位 至 1 准许 写 行动 至 出现.
这 wren 操作指南 必须 是 executed 较早的 至 任何 写
(程序/擦掉) 运作. ce# 必须 是 驱动 高
在之前 这 wren 操作指南 是 executed.
图示 11: W
RITE
E
NABLE
(wren) s
EQUENCE
写-使不能运转 (wrdi)
这 写-使不能运转 (wrdi) 操作指南 resets 这 写-
使能-获得 位 和 aai 位 至 0 disabling 任何 新 写
行动 从 occurring. ce# 必须 是 驱动 高 在之前
这 wrdi 操作指南 是 executed.
图示 12: W
RITE
D
ISABLE
(wrdi) s
EQUENCE
使能-写-状态-寄存器 (ewsr)
这 使能-写-状态-寄存器 (ewsr) 操作指南
arms 这 写-状态-寄存器 (wrsr) 操作指南 和
opens 这 状态 寄存器 为 改变. 这 使能-写-
状态-寄存器 操作指南 做 不 有 任何 效应 和
将 是 wasted, 如果 它 是 不 followed 立即 用 这 写-
状态-寄存器 (wrsr) 操作指南. ce# 必须 是 驱动
低 在之前 这 ewsr 操作指南 是 entered 和 必须 是
驱动 高 在之前 这 ewsr 操作指南 是 executed.
CE#
所以
SI
SCK
01234567
06
高 阻抗
模式 0
模式 3
1231 f11.1
MSB
CE#
所以
SI
SCK
01234567
04
高 阻抗
模式 0
模式 3
1231 f12.1
MSB
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