数据 薄板
2 mbit / 4 mbitspi 串行 flash
sst25lf020a / sst25lf040a
13
©2006 硅 存储 技术, 公司 s71242-05-000 1/06
sector-擦掉
这 sector-擦掉 操作指南 clears 所有 位 在 这 选择 4
kbyte sector 至 ffh. 一个 sector-擦掉 操作指南 应用 至
一个 保护 记忆 范围 将 是ignored. 较早的 至 任何 写
运作, 这 写-使能 (wren) 操作指南 必须 是
executed. ce# 必须 仍然是 起作用的 低 为 这 持续时间 的
这 任何 command sequence. 这 sector-擦掉 操作指南
是 initiated 用 executing 一个 8-位 command, 20h, followed
用 地址 位 [a
23
-一个
0
]. 地址 位 [a
MS
-一个
12
]
(一个
MS
= 大多数 重大的 地址) 是 使用 至 决定 这
sector 地址 (sa
X
), remaining 地址 位 能 是 v
IL
或者
V
ih.
ce# 必须 是 驱动 高 在之前 这 操作指南 是 exe-
cuted. 这 用户 将 poll 这 busy 位 在 这 软件 状态
寄存器 或者 wait t
SE
为 这 completion 的 这 内部的 自-
安排时间 sector-擦掉 循环. 看 图示 8 为 这 sector-
擦掉 sequence.
图示 8: S
ECTOR
-e
RASE
S
EQUENCE
块-擦掉
这 块-擦掉 操作指南 clears 所有 位 在 这 选择 32
kbyte 块 至 ffh. 一个 块-擦掉 操作指南 应用 至 一个
保护 记忆 范围 将 是 ignored. 较早的 至 任何 写
运作, 这 写-使能 (wren) 操作指南 必须 是
executed. ce# 必须 仍然是 起作用的 低 为 这 持续时间 的
任何 command sequence. 这 块-擦掉 操作指南 是
initiated 用 executing 一个 8-位 command, 52h, followed 用
地址 位 [a
23
-一个
0
]. 地址 位 [a
MS
-一个
15
] (一个
MS
= 大多数
重大的 地址) 是 使用 至 决定 块 地址
(ba
X
), remaining 地址 位 能 是 v
IL
或者 v
IH
. ce# 必须
是 驱动 高 在之前 这 操作指南 是 executed. 这 用户
将 poll 这 busy 位 在 这 软件 状态 寄存器 或者 wait
T
是
为 这 completion 的 这 内部的 自-安排时间 块-
擦掉 循环. 看 图示 9 为 这 块-擦掉 sequence.
图示 9: B
锁
-e
RASE
S
EQUENCE
CE#
所以
SI
SCK
增加.
012345678
增加. 增加.
20
高 阻抗
15 16
23
24
31
模式 0
模式 3
1242 f08.0
MSBMSB
CE#
所以
SI
SCK
增加.
012345678
增加. 增加.
52
高 阻抗
15 16
23
24
31
模式 0
模式 3
1242 f09.0
MSB MSB