rt8800/b
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ds8800/b-04 十一月 2005www.richtek.com
所有 brand 名字 或者 商标 belong 至 它们的 所有权人 各自
频率 vs. 温度
0
50
100
150
200
250
300
350
-25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature
频率 (khz)
(
°
c)
R
RT
= 16k
Ω
时间 (2.5
µ
s/div)
加载 瞬时 回馈
UGATE1
(20v/div)
V
核心
(200mv/div)
UGATE2
(20v/div)
UGATE3
(20v/div)
阶段 1, i
输出
= 5a 至 85a @sr = 93a/美国)
时间 (2.5
µ
s/div)
加载 瞬时 回馈
UGATE1
(20v/div)
V
核心
(200mv/div)
UGATE2
(20v/div)
UGATE3
(20v/div)
阶段 3, i
输出
= 5a 至 85a @sr = 93a/美国)
时间 (10ms/div)
在 电流 保护
I
L1
+I
L2
(50a/div)
V
核心
(1v/div)
PWM1
(10v/div)
V
竞赛
(2v/div)
短的 当 转变_在
时间 (10ms/div)
在 电流 保护
I
L1
+I
L2
(50a/div)
V
竞赛
(2v/div)
PWM1
(10v/div)
V
核心
(1v/div)
短的 之后 转变_在
时间 (2.5
µ
s/div)
加载 瞬时 回馈
UGATE1
(20v/div)
V
核心
(200mv/div)
UGATE2
(20v/div)
UGATE3
(20v/div)
phase2, i
输出
= 5a 至 85a @sr = 93a/美国)