PE9704
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peregrine 半导体 corp. 2003
文件 非. 70/0083~00b
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UTSi
cmos rfic 解决方案
页 4 的 12
表格 2. 绝对 最大 比率
标识 参数/情况 最小值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 -0.3 4.0 v
V
I
电压 在 任何 输入 -0.3 V
DD
+ 0.3
V
I
I
直流 在 任何 输入 -10 +10 毫安
I
O
直流 在 任何 输出 -10 +10 毫安
T
stg
存储 温度
范围
-65 150
°
C
表格 3. 运行 比率
标识 参数/情况 最小值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 2.85 3.15 v
T
一个
运行 包围的
温度 范围
-40 85
°
C
表格 4. 静电释放 比率
标识 参数/情况 水平的 单位
V
静电释放
静电释放 电压 (人 身体
模型) – 便条 1
1000 v
便条 1:
periodically 抽样, 不 100% 测试. 测试 每 mil-
标准-883, m3015 c2
静电的 释放 (静电释放) 预防措施
当 处理 这个 utsi 设备, 注意到 这 一样
预防措施 那 你 将 使用 和 其它 静电释放-
敏感的 设备. 虽然 这个 设备 包含
电路系统 至 保护 它 从 损坏 预定的 至 静电释放,
预防措施 应当 是 带去 至 避免 exceeding 这
比率 指定 在 表格 4.
获得-向上 avoidance
不像 常规的 cmos 设备, utsi cmos
设备 是 不受影响 至 获得-向上.
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