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资料编号:1118584
 
资料名称:UMZ1NT1
 
文件大小: 220K
   
说明
 
介绍:
Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
 
 


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产品 规格
PE3511
页 2 的 8
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文档 非. 70-0106-03
ultracmos™ rfic 解决方案
表格 2. 直流 电的 特性 (-40° c
T
一个
85° c)
标识
参数
情况
典型
单位
V
IH
高 水平的 输入 电压
2.7 v
V
DD
3.3 v
2.0
V
V
IL
低 水平的 输入 电压
2.7 v
V
DD
3.3 v
0.8
V
V
OH
高 水平的 输出 电压
V
DD
= 2.7 v; i
OH
= 2.9 毫安
2.2
V
V
OL
低 水平的 输出 电压
V
DD
= 2.7 v; i
OL
= 2.6 毫安
0.4
V
标识
参数
Condition*
典型
单位
t
PHL
传播 延迟
(高 至 低)
50 mhz 脉冲波 train 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
2.6
ns
t
PLH
传播 延迟
(低 至 高)
50 mhz 脉冲波 train 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
2.8
ns
t
r
输出 上升 时间
(10% 至 90%)
50 mhz 脉冲波 train 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
2.2
ns
t
f
输出 下降 时间
(90% 至 10%)
50 mhz 脉冲波 train 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
2.1
ns
频率
情况
典型
单位
50 mhz
200 mvp-p sinusoidal 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
2.3
vp-p
500 mhz
200 mvp-p sinusoidal 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
1.9
vp-p
1500 mhz
200 mvp-p sinusoidal 输入;
C
L
= 10 pf, r
L
= 500
1.6
vp-p
表格 3. 交流 特性 (-40° c
T
一个
85° c)
表格 4. 典型 输出 摆动 (v
DD
= 2.7 v)
* 看 图示 5 为 交流 测试 电路
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