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资料编号:1118786
 
资料名称:NTLJF4156N
 
文件大小: 100K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 4.0 A, N-Channel, with 1.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm μCool? Package
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTLJF4156N
http://onsemi.com
7
典型 肖特基 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
图示 13. 典型 向前 电压 图示 14. 最大 向前 电压
图示 15. 典型 反转 电流 图示 16. 最大 反转 电流
V
F
, instantaneous 向前 电压 (伏特)
10
1.0
0.1
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
100E−9
I
F
, instantaneous 向前 电流 (放大器)
I
I
0.6 0.8
10 20
0.1 0.2 0.4
30
, instantaneous 向前 电流 (放大器)
F
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= −55
°
C
10E−6
100E−6
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
1.0e−3
10E−3
1.0e+0
, 反转 电流 (放大器)
R
I , 最大 反转 电流 (放大器)
R
0.90.70.3 0.5
V
F
, 最大 向前 电压 (伏特)
10
1.0
0.1
0.6 0.80.1 0.2 0.4
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
0.90.70.3 0.5
100E−3
1.0e−6
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
100E−9
10 20 3
0
10E−6
100E−6
T
J
= 25
°
C
T
J
= 85
°
C
T
J
= 125
°
C
1.0e−3
10E−3
1.0e+0
100E−3
1.0e−6
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