首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1118795
 
资料名称:NTLJD4116N
 
文件大小: 84K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 30 V, 3.7 A, Dual N-Channel 2x2 mm μCool? Package
 
 


: 点此下载
  浏览型号NTLJD4116N的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号NTLJD4116N的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号NTLJD4116N的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号NTLJD4116N的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号NTLJD4116N的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTLJS3113P
http://onsemi.com
4
典型 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
5 5 15 20
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
图示 7. 电容 变化
1600
0
V
GS
V
DS
2000
800
010
V
DS
= v
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
oss
C
rss
2400
2800
C
iss
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1 10 100
1000
1
t, 时间 (ns)
100
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
10
V
DD
= −15 v
I
D
= −3.0 一个
V
GS
= −4.5 v
2.5
0
0
−V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
V
GS
= 0 v
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
1.0
1
0.6
2
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1 1 100
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
1
100
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
10
10
V
GS
= −20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
1 ms
100
s
10 ms
直流
10
s
T
J
= 25
°
C
0.1
0.01
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0
3
0
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
5
4
48
I
D
= −3.0 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
Q
GS
Q
GD
QT
2
1
12
8
0
20
12
4
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
V
DS
16
3
0.80.40.2
−I
D
, 流 电流 (放大器)
−I
s
, 源 电流 (放大器)
1200
400
1.5
0.5
T
J
= 150
°
C
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com