NTGS3443T1
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典型 电的 特性
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on−resistance vs. gate−to−source
电压
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
0
4
1.6
6
21.20.8
−V
ds,
drain−to−source 电压 (伏特)
−I
d,
流 电流 (放大器)
2
0
0.4
8
V
GS
= −5 v
V
GS
= −3 v
V
GS
= −2.5 v
V
GS
= −4.5 v
V
GS
= −3.5 v
V
GS
= −2 v
V
GS
= −1.5 v
T
J
= 25
°
C
4
0
6
2
8
−V
gs,
gate−to−source 电压 (伏特)
−I
d,
流 电流 (放大器)
0.6 2.2 2.61.81.4 31
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= −55
°
C
V
DS
≥
= −10 v
1.5
0.4
0.35
0.3
0.25
3.532.5
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2 4 4.5 5
−V
gs,
gate−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (ohms)
I
D
= −4.4 一个
T
J
= 25
°
C
0.1
−I
d,
流 电流 (放大器)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (ohms)
04532617
0.06
0.12
0.04
0.08
0.14
0.16
8
T
J
= 25
°
C
V
GS
= −2.5 v
V
GS
= −4.5 v
V
GS
= −2.7 v
1.5
1.4
1.2
1.3
1.1
1
0.9
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (normalized)
−50 50250−25 75 125100
I
D
= −4.4 一个
V
GS
= −4.5 v
0.8
0.7
150
0.01
0.1
1
10
100
−V
ds,
drain−to−source 电压 (伏特)
−I
dss,
泄漏 (na)
016201284
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= −4 v
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