ntp22n06l, ntb22n06l
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gate–to–source 或者 drain–to–source 电压
(伏特)
c, 电容 (pf)
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
R
G
, 门 阻抗 (
Ω
)v
SD
, source–to–drain 电压 (伏特)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特) T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
I
D
, 流 电流 (放大器)
E
作
, 单独的 脉冲波 drain–to–source
avalanche 活力 (mj)
100
10
1
0.1
1000
100
1
6
5
4
3
2
1
0
80
60
20
40
0
24
20
16
12
4
0
10
1600
10
1400
1200
155020
1000
800
600
400
0
5
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate–to–source 和
drain–to–source 电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
25 0 1084
1 10 100 0.6 0.760.68 0.92 1.08
0.1 10 1001 25 125 15010075 17550
200
0.84
10
12
1
I
D
= 22 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 v
V
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 15 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 30 v
I
D
= 22 一个
V
GS
= 5 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 12 一个
t
f
t
d(止)
t
d(在)
t
r
R
ds(在)
限制
Q
T
Q
2
Q
1
10 ms
1 ms
100
µ
s
直流
V
GS
V
DS
热的 限制
包装 限制
8
10
µ
s
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