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资料编号:1118882
 
资料名称:NTA4001N
 
文件大小: 71K
   
说明
 
介绍:
Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection
 
 


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ntp22n06l, ntb22n06l
http://onsemi.com
3
0
0.16
0.12
403020
0
10 50
T
J
= 25
°
C
T
J
= –55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
0.08
0.04
50
30
20
10
0
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器) I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (
)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
2
1.8
1.4
1.6
1.2
1
0.6
10
1000
10000
0321
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
0
0.16
0.12
3020
0
10 40
图示 3. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏 电流
相比 电压
50
–50 50250–25 75 125100
1.8 3.4 6.62.6
030402010 50 60
40
30
20
10
0
6
175150
0.8
4 5 4.2
6 v
V
DS
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= –55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 5 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 11 一个
V
GS
= 5 v
V
GS
= 10 v
5.5 v
5 v
8 v
5 5.8
0.08
0.04
100
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
40
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